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    本發明之螢光接著片材具備含有螢光體之螢光體層、與積層於螢光體之厚度方向之一面上之接著劑層。接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    公开号:TW201301583A
    申请号:TW101121641
    申请日:2012-06-15
    公开日:2013-01-01
    发明作者:Toshitaka Nakamura；Hiroyuki Katayama；Haruka Fujii；Hironaka Fujii
    申请人:Nitto Denko Corp；
    IPC主号:C09J7-00
    专利说明:
    螢光接著片材、附螢光體層之發光二極體元件、發光二極體裝置及其等之製造方法
    本發明係關於一種螢光接著片材、附螢光體層之發光二極體元件、發光二極體裝置及其等之製造方法，詳細而言，係關於一種螢光接著片材、其製造方法、具備螢光接著片材之附螢光體層之發光二極體元件、其製造方法、發光二極體裝置、及其製造方法。
    近年來，作為可發出高能量之光之發光裝置，已知有白色發光裝置。白色發光裝置例如具備LED(Light-Emitting Diode，發光二極體)、與配置於LED上之螢光體層，自LED發出光，透過螢光體層之藍色光、與於螢光體層中藍色光之一部分經波長轉換而成之黃色光進行混色，藉此發出高能量之白色光。
    作為獲得此種白色發光裝置之方法，例如揭示有如下方法(例如參照美國專利第7,294,861號說明書)。
    即，準備如下之LED封裝，該LED封裝具備於上側形成有開口之凹部之封裝本體、設置於凹部之底面上之LED、及將LED封入(密封)凹部內之封入材(密封材)。另外準備如下之螢光帶，該螢光帶具備含有YAG：Ce之螢光膜、與積層於此膜上之包含丙烯酸系樹脂之感壓接著劑。
    其後，以感壓接著劑接觸LED封裝之上表面之方式將螢光帶貼著於LED封裝上，藉此獲得白色發光裝置。
    但是，美國專利第7,294,861號說明書之方法有時會於封入材之上表面形成凹凸或起伏等，於該情形時，螢光帶無法追隨該封入材之上表面，因此有時於螢光帶與封入材之間會產生空隙，導致白色發光裝置之可靠性降低。
    又，於美國專利第7,294,861號說明書之螢光帶中，由於利用感壓接著劑將螢光膜貼著於LED封裝上，故而存在貼著力(接著力)較低之問題。
    又，近年來，隨著白色發光裝置之高亮度化及高輸出化，要求螢光帶之感壓接著劑具有耐熱性、耐光性等優異之耐久性。
    本發明之目的在於提供一種可暫時固定於對象物上，其後可以優異之接著力進行接著，進而耐久性優異之螢光接著片材，使用該螢光接著片材之可靠性優異之附螢光體層之發光二極體元件及發光二極體裝置，與其等之製造方法。
    本發明之螢光接著片材之特徵在於：具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之接著劑層，且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    該螢光接著片材可藉由加熱使接著劑層塑化，而使螢光體層暫時固定於對象物上。
    又，螢光接著片材可藉由其後之加熱使接著劑層熱硬化，而使螢光體層接著於對象物上。
    並且，於該螢光接著片材中，藉由接著劑層之塑化，可防止螢光體層與對象物之間產生間隙，或者即使對於具有凹凸之對象物，接著劑層亦可追隨之。因此，藉由其後之接著劑層之熱硬化，可使螢光體層確實地接著於對象物上。
    進而，接著劑層藉由塑化而形成為規定形狀，或者形成得較薄。因此，可實現接著劑層之薄層化。
    進而，由於接著劑層熱硬化，故而耐久性優異。
    又，於本發明之螢光接著片材中，上述螢光體層較佳為由上述螢光體之陶瓷所形成。
    於該螢光接著片材中，於由螢光體之陶瓷所形成之螢光體層上，較薄地形成有接著劑層，因此可使因光之波長轉換而產生之熱經由該接著劑層有效率地傳導至外部。
    又，於本發明之螢光接著片材中，上述螢光體層較佳為由含有上述螢光體及樹脂之螢光體樹脂組合物所形成。
    於該螢光接著片材中，螢光體層係由螢光體樹脂組合物所形成，因此可容易地將螢光體層形成為任意形狀。
    又，本發明之螢光接著片材之製造方法之特徵在於具備如下步驟：準備含有螢光體之螢光體層；使兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物塑化，而將其積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上；及藉由冷卻上述聚矽氧樹脂組合物使其固形化，而形成接著劑層。
    於該螢光接著片材之製造方法中，係使兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物塑化，而將其積層於螢光體之厚度方向之一面上，因此可簡易且統一地於螢光體層之厚度方向之一面上形成接著劑層。
    又，於該方法中，係藉由冷卻聚矽氧樹脂組合物使其固形化，而形成接著劑層，因此可以優異之作業性(操作性)製造具備該接著劑層之螢光接著片材。
    又，本發明之附螢光體層之發光二極體元件之特徵在於：具備發光二極體元件、與積層於上述發光二極體元件之至少於厚度方向之一面上之螢光接著片材，上述螢光接著片材具備：含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之接著劑層，且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    於該附螢光體層之發光二極體元件中，接著劑層係接著於發光二極體元件之至少於厚度方向之一面上，因此提高螢光體層對發光二極體元件之接著力。
    又，由於接著劑層熱硬化，故而可提高附螢光體層之發光二極體元件之耐久性。
    其結果可提高附螢光體層之發光二極體元件之可靠性。
    又，本發明之發光二極體裝置之特徵在於：具備發光二極體封裝、與接著於上述發光二極體封裝之上述厚度方向之一面上之螢光接著片材，該發光二極體封裝具備基板、安裝於上述基板上之發光二極體元件、形成於上述基板之厚度方向之一側且以向上述厚度方向投影時包圍上述發光二極體元件之方式配置之反射器、填充於上述反射器內而密封上述發光二極體元件之密封層；並且上述螢光接著片材具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之接著劑層，上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    於該發光二極體裝置中，接著劑層係接著於發光二極體封裝之厚度方向之一面上，因此提高螢光體層對發光二極體封裝之接著力。
    並且，接著劑層藉由塑化而形成得較薄，因此可防止自發光二極體元件發出之光經由形成於反射器之厚度方向之一面上之接著劑層而擴散至外部。因此可提高發光二極體裝置之發光效率。
    進而，可使於螢光體層中因波長轉換而產生之熱經由形成得較薄之接著劑層傳導至反射器及基板，從而可實現有效率之熱擴散。因此，可進一步提高發光二極體裝置之發光效率。
    進而，亦可防止滲入發光二極體封裝內之腐蝕成分經由形成得較薄之接著劑層而滲入。
    又，由於接著劑層熱硬化，故而可提高發光二極體裝置之耐久性。
    其結果可提高發光二極體裝置之可靠性。
    又，本發明之發光二極體裝置之特徵在於：具備基板、安裝於上述基板上之發光二極體元件、接著於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上之螢光接著片材，並且上述螢光接著片材具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之接著劑層，上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    於該發光二極體裝置中，接著劑層係接著於發光二極體裝置之厚度方向之一面上，因此提高螢光體層對發光二極體封裝之接著力。
    並且，接著劑層藉由塑化而形成得較薄，因此可使自發光二極體元件產生之熱經由接著劑層有效率地傳導至螢光體層，從而可實現有效率之熱擴散。因此，可進一步提高發光二極體裝置之發光效率。
    進而，可防止滲入發光二極體封裝內之腐蝕成分經由形成得較薄之接著劑層而滲入。
    又，由於接著劑層熱硬化，故而可提高發光二極體裝置之耐久性。
    其結果可提高發光二極體裝置之可靠性。
    又，本發明之發光二極體裝置之製造方法之特徵在於具備如下步驟：於基板上安裝發光二極體元件，並於上述基板之厚度方向之一側以向上述厚度方向投影時包圍上述發光二極體元件之方式配置反射器，其後，於反射器內以密封上述發光二極體元件之方式填充密封層，從而準備發光二極體封裝；於上述發光二極體封裝之上述厚度方向之一面上以接著劑層與上述發光二極體封裝接觸之方式載置具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之上述接著劑層的螢光接著片材；藉由使上述接著劑層塑化，而將上述螢光體層暫時固定於上述發光二極體封裝之上述厚度方向之一面上；及藉由使上述接著劑層熱硬化，而將上述螢光體層接著於上述發光二極體封裝之上述厚度方向之一面上；並且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    於該發光二極體裝置之製造方法中，於發光二極體封裝之厚度方向之一面上以接著劑層與發光二極體封裝接觸之方式載置螢光接著片材，使接著劑層塑化，而將螢光體層暫時固定於發光二極體封裝之厚度方向之一面上。
    並且，於該螢光接著片材中，藉由接著劑層之塑化，可防止於螢光體層與發光二極體封裝之厚度方向之一面之間產生間隙，或者即使對於發光二極體封裝之厚度方向之一面上之凹凸，接著劑層亦可追蹤之。因此，藉由其後之接著劑層之熱硬化，可使螢光體層確實地接著於發光二極體封裝上。
    因此，對暫時固定有螢光體層之發光二極體封裝進行光學檢查後，於發光二極體封裝為不良之情形時，可將螢光體層自判定為不良之發光二極體封裝剝離，而將其暫時固定於另一發光二極體封裝上(二次加工)。結果可提高螢光體層之良率，降低製造成本。
    又，於該方法中，藉由使接著劑層熱硬化，而將螢光體層接著於發光二極體封裝上，因此可提高螢光體層對於發光二極體封裝之接著力。
    又，本發明之發光二極體裝置之製造方法之特徵在於具備如下步驟：於上述發光二極體元件之厚度方向之一面上以接著劑層與上述發光二極體元件接觸之方式載置具備含有螢光體之螢光體層、與積層於螢光體層之至少厚度方向之一面上之上述接著劑層的螢光接著片材；藉由使上述接著劑層塑化，而將上述螢光體層暫時固定於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上；及藉由使上述接著劑層熱硬化，而將上述螢光體層接著於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上；並且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    於該發光二極體裝置之製造方法中，於發光二極體元件之至少厚度方向之一面上以接著劑層與發光二極體元件接觸之方式載置螢光接著片材，使接著劑層塑化，而將螢光體層暫時固定於發光二極體元件之至少厚度方向之一面上。
    並且，於該螢光接著片材中，藉由接著劑層之塑化，可防止於螢光體層與發光二極體元件之厚度方向之一面之間產生間隙，或者即使對於發光二極體元件之至少厚度方向之一面上之凹凸，接著劑層亦可追蹤之。因此，藉由其後之接著劑層之熱硬化，可使螢光體層確實地接著於發光二極體元件上。
    因此，對暫時固定有螢光體層之發光二極體元件進行光學檢查後，於發光二極體元件為不良之情形時，可藉由加熱將螢光體層自判定為不良之發光二極體元件剝離，而將其暫時固定於另一發光二極體元件上(二次加工)。結果可提高螢光體層之良率，降低製造成本。
    又，於該方法中，藉由使接著劑層熱硬化，而將螢光體層接著於發光二極體元件，因此可提高螢光體層對於發光二極體元件之接著力。
    又，本發明之發光二極體裝置之製造方法進而具備將發光二極體元件安裝於基板上之安裝步驟，較佳為於上述安裝步驟之後，實施上述載置步驟。
    又，本發明之發光二極體裝置之製造方法進而具備將發光二極體元件安裝於基板上之安裝步驟，較佳為於上述接著步驟之後，實施上述安裝步驟。
    又，附螢光體層之發光二極體元件之製造方法之特徵在於具備如下步驟：於發光二極體元件之厚度方向之一面上以接著劑層與上述發光二極體元件接觸之方式載置具備含有螢光體之螢光體層、與積層於螢光體層之厚度方向之一面上之上述接著劑層的螢光接著片材；藉由使上述接著劑層塑化，而將上述螢光體層暫時固定於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上；及藉由使上述接著劑層熱硬化，而將上述螢光體層接著於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上；並且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    於該附螢光體層之發光二極體元件之製造方法中，於發光二極體元件之至少厚度方向之一面上以接著劑層與發光二極體元件接觸之方式載置螢光接著片材，使接著劑層塑化，而將螢光體層暫時固定於發光二極體元件之至少厚度方向之一面上。
    並且，於該方法中，藉由接著劑層之塑化，可防止於螢光體層與發光二極體元件之至少厚度方向之一面之間產生間隙，或者即使對於發光二極體元件之至少厚度方向之一面上之凹凸，接著劑層亦可追蹤之。因此，藉由其後之接著劑層之熱硬化，可使螢光體層確實地接著於發光二極體元件上。
    又，於該方法中，藉由使接著劑層熱硬化，而將螢光體層接著於發光二極體元件，因此可提高螢光體層對於發光二極體元件之接著力。
    因此，藉由接著劑層可提高螢光體層對於發光二極體元件之接著力，且可製造耐久性優異、可靠性提高之附螢光體層之發光二極體元件。
    本發明之螢光接著片材係藉由加熱使接著劑層塑化，從而可將螢光體層暫時固定於對象物上，藉由其後之加熱使接著劑層熱硬化，從而可將螢光體層接著於對象物上。
    又，根據本發明之螢光接著片材之製造方法及附螢光體層之發光二極體元件之製造方法，藉由加熱可簡易且統一地於螢光體層之厚度方向之一面上形成接著劑層，從而可以優異之作業性(操作性)製造螢光接著片材及附螢光體層之發光二極體元件。
    又，於本發明之發光二極體裝置及附螢光體層之發光二極體元件中，螢光體層對發光二極體封裝或發光二極體元件之接著力獲得提高，耐久性優異，從而可提高可靠性。
    又，本發明之發光二極體裝置之製造方法及附螢光體層之發光二極體元件之製造方法可降低製造成本。
    圖1係表示本發明之螢光接著片材之一實施形態之剖面圖，圖2係表示說明本發明之螢光接著片材之製造方法之一實施形態的立體圖，圖3係表示說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之一實施形態的剖面圖。
    於圖1中，該螢光接著片材1具備螢光體層2、與積層於螢光體層2之上表面(厚度方向之一面)上之接著劑層3。
    螢光體層2係將自下述發光二極體元件10(參照圖3)所發出之藍色光之一部分轉換為黃色光，並使剩餘之藍色光通過的波長轉換層。螢光體層2形成為板狀或片材狀，例如由螢光體之陶瓷形成為螢光體陶瓷板，或者由含有螢光體及樹脂之螢光體樹脂組合物形成為螢光體樹脂片材。
    螢光體吸收波長350~480 nm之光之一部分或全部作為激發光而獲得激發，發出波長大於激發光之例如波長500~650 nm之螢光。具體而言，作為螢光體，例如可列舉黃色螢光體。作為此種螢光體，例如可列舉於複合金屬氧化物或金屬硫化物等中摻雜例如鈰(Ce)或銪(Eu)等金屬原子而成之螢光體。
    具體而言，作為螢光體，例如可列舉：Y3Al5O12：Ce(YAG(釔-鋁-石榴石)：Ce)、(Y,Gd)3Al5O12：Ce、Tb3Al3O12：Ce、Ca3Sc2Si3O12：Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12：Ce等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體；例如可列舉：(Sr,Ba)2SiO4：Eu、Ca3SiO4Cl2：Eu、Sr3SiO5：Eu、Li2SrSiO4：Eu、Ca3Si2O7：Eu等矽酸鹽螢光體；例如可列舉：CaAl12O19：Mn、SrAl2O4：Eu等鋁酸鹽螢光體；例如可列舉：ZnS：Cu,Al、CaS：Eu、CaGa2S4：Eu、SrGa2S4：Eu等硫化物螢光體；例如可列舉：CaSi2O2N2：Eu、SrSi2O2N2：Eu、BaSi2O2N2：Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體；例如可列舉：CaAlSiN3：Eu、CaSi5N8：Eu等氮化物螢光體；例如可列舉：K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn等氟化物系螢光體等。較佳可列舉石榴石型螢光體，更佳可列舉Y3Al5O12：Ce(YAG)。
    螢光體可單獨使用，或者亦可併用2種以上。
    於將螢光體層2形成為螢光體陶瓷板時，藉由將上述螢光體作為陶瓷材料，並燒結該陶瓷材料，而獲得螢光體層2(螢光體陶瓷)。
    再者，亦可於陶瓷材料中以適宜之比例添加黏合樹脂、分散劑、塑化劑、燒結助劑等添加劑。
    另一方面，於由螢光體樹脂組合物形成螢光體層2時，首先藉由調配上述螢光體與樹脂，而製備螢光體樹脂組合物。
    樹脂係分散螢光體之基質，例如可列舉：聚矽氧樹脂組合物、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂等透明樹脂等。就耐久性之觀點而言，較佳可列舉聚矽氧樹脂組合物。
    聚矽氧樹脂組合物於分子內主要具有包含矽氧鍵(-Si-O-Si-)之主鏈、與鍵結於主鏈之矽原子(Si)上之包含烷基(例如甲基等)或烷氧基(例如甲氧基)等有機基之側鏈。
    具體而言，作為聚矽氧樹脂組合物，例如可列舉：脫水縮合型聚矽氧樹脂、加成反應型聚矽氧樹脂、過氧化物硬化型聚矽氧樹脂、濕氣硬化型聚矽氧樹脂、硬化型聚矽氧樹脂等。較佳可列舉加成反應型聚矽氧樹脂等。
    聚矽氧樹脂組合物於25℃下之動黏度例如為10~30 mm2/s。
    樹脂可單獨使用，或者亦可併用2種以上。
    關於各成分之調配比例，螢光體之調配比例相對於螢光體樹脂組合物，例如為1~50質量%，較佳為5~30質量%。又，螢光體之調配比例相對於樹脂100質量份，例如為1~100質量份，較佳為5~40質量份。
    又，樹脂之調配比例相對於螢光體樹脂組合物，例如為50~99質量%，較佳為70~95質量%。
    螢光體樹脂組合物係藉由以上述調配比例調配螢光體及樹脂，並攪拌混合而製備。所製備之螢光體樹脂組合物成形為片材狀，具體而言形成為螢光體樹脂片材。
    於螢光體層2形成為螢光體陶瓷板之情形時，厚度例如為100~1000 μm，於由螢光體樹脂片材所形成之情形時，就成膜性及裝置之外觀之觀點而言，厚度例如為25~1000 μm，較佳為50~200 μm。
    接著劑層3形成於螢光體層2之整個上表面(厚度方向之一面)上。
    接著劑層3係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    作為聚矽氧樹脂組合物，例如可列舉：第1聚矽氧樹脂組合物、第2聚矽氧樹脂組合物、第3聚矽氧樹脂組合物、第4聚矽氧樹脂組合物、第5聚矽氧樹脂組合物及第6聚矽氧樹脂組合物。
    第1聚矽氧樹脂組合物例如含有兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物、二異氰酸酯及自由基產生劑。
    就透明性或高耐熱性之觀點而言，兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物較佳為下述式(1)所表示之化合物。
    (式中，A~D為構成單元，A及D表示末端單元，B及C表示重複單元，R1表示1價烴基，R2表示烯基，R3表示伸烷基，a表示0或1以上之整數，b表示0或1以上之整數；a+b滿足成為至少1以上之整數之關係；所有R1相互可相同亦可不同，b個R2相互可相同亦可不同)。
    式(1)所表示之化合物係由構成單元A、B、C及D所構成，且於末端單元中含有胺基(-NH2)之化合物。
    式(1)中之R1所表示之烴基例如為飽和烴基或芳香族烴基。就獲得性之觀點而言，烴基之碳數例如為1~20，較佳為1~10。
    作為飽和烴基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、環己基、環戊基等烷基。作為芳香族烴基，例如可列舉：苯基、苄基、甲苯基等芳基等。
    R1所表示之烴基之中，就所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物之透明性及耐光性之觀點而言，較佳可列舉甲基、苯基，更佳可列舉甲基。再者，於式(1)中，所有R1較佳為各自獨立地表示上述烴基，與構成單元無關。
    作為式(1)中之R2，可列舉經取代或未經取代之烯基。具體而言，只要為於骨架中包含烯基之有機基即可，可列舉：乙烯基、烯丙基、丁炔基、戊炔基、己炔基等。其中，就所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物之透明性及耐熱性之觀點而言，較佳可列舉乙烯基。
    作為式(1)中之R3，例如可列舉經取代或未經取代之伸烷基。R3只要為於骨架中包含伸烷基之有機基即可，就所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物之透明性及耐熱性之觀點而言，此種有機基之碳數例如為1~10。具體而言，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基等。其中，就所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物之透明性及耐熱性之觀點而言，較佳可列舉伸丙基。再者，於式(1)中，所有R3、即2個R3可相同亦可不同。
    構成單元A為末端單元，具體而言包含於分子一端。即，於式(1)中包含1個構成單元A。
    構成單元D為末端單元，具體而言包含於與構成單元A相反之分子另一端。即，於式(1)中包含1個構成單元D。
    構成單元B之重複單元數、即式(1)中之a表示0或1以上之整數，就所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物之透明性之觀點而言，例如為1~10,000之整數，較佳為10~10,000之整數。
    就所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物之透明性之觀點而言，構成單元C之重複單元數、即式(1)中之b例如為0~10,000之整數，較佳為0~1,000之整數。
    a與b之和較佳為1~10,000，更佳為10~10,000。再者，由於a與b之和為至少1以上之整數，故而a或b中之任一者可為0。
    式(1)所表示之兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物可使用市售品，或者亦可依據公知之方法而合成。
    就穩定性或操作性之觀點而言，式(1)所表示之兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之重量平均分子量例如為100~1,000,000，較佳為1000~100,000。重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析儀(GPC：標準聚苯乙烯換算值)而測定，以下亦相同。
    於第1聚矽氧樹脂組合物中，兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之含量例如為1~99.9質量%，較佳為80~99.9質量%。
    就與各成分之相溶性之觀點而言，二異氰酸酯例如以下述式(2)表示。
    O=C=N-Y-N=C=O (2)(式中，Y表示2價烴基)。
    作為式(2)中之Y，例如可列舉飽和或不飽和之直鏈、支鏈或環狀之烴基。就獲得性及所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物之耐熱性之觀點而言，烴基之碳數例如為1~50，較佳為1~30。
    作為二異氰酸酯，可列舉：脂肪族二異氰酸酯、芳香族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯、及該等之改性體等。具體而言可列舉：六亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、1,3-二氮雜環丁烷-2,4-二酮-雙(4,4'-亞甲基二環己基)二異氰酸酯、1,3-二氮雜環丁烷-2,4-二酮-雙(4,4'-亞甲基二苯基)二異氰酸酯、四甲基苯二亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、甲苯-2,4-二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯等，該等可單獨使用亦可組合2種以上使用。該等之中，就透明性、耐熱性及獲得性之觀點而言，較佳可列舉：甲苯-2,4-二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯。
    作為二異氰酸酯，可使用市售品，或者亦可依據公知之方法而合成。
    於第1聚矽氧樹脂組合物中，二異氰酸酯之含量例如為1.0×10-5~20質量%，較佳為1.0×10-5~10質量%。
    又，關於兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物與二異氰酸酯之質量比，就使兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之胺基與二異氰酸酯之異氰酸酯基恰好完全反應之觀點而言，其等官能基之莫耳比(胺基/異氰酸酯基)例如為0.1/1~1/0.1，較佳為實質上等量(1/1)。
    自由基產生劑為產生自由基而促進兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物彼此之交聯反應的化合物，可列舉光自由基產生劑或有機過氧化物等，就第1聚矽氧樹脂組合物根據溫度而表現出熱塑性/熱硬化性方面而言，較佳可列舉藉由加熱產生自由基之有機過氧化物。
    具體而言，可列舉：過氧化甲基乙基酮、過氧化環己酮、過氧化甲基環己酮、過氧化乙醯丙酮、1,1-二(第三己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二(第三己基過氧化)環己烷、1,1-二(第三丁基過氧化)-2-甲基環己烷、1,1-二(第三丁基過氧化)環己烷、2,2-二(第三丁基過氧化)丁烷、2,2-二(4,4-二(丁基過氧化)環己基)丙烷、對薄荷烷過氧化氫、二異丙基苯基過氧化氫、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化氫、過氧化氫異丙苯、第三丁基過氧化氫、過氧化二異丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烷、過氧化第三丁基異丙苯、過氧化二第三己基、過氧化二第三丁基、過氧化二異丁醯、過氧化二正辛醯、過氧化二苯甲醯、過氧化二碳酸二正丙酯、過氧化二碳酸二異丙酯、過氧化碳酸二(4-第三丁基環己酯)、過氧化新癸酸第三己酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化二異丁酸第三丁酯、過氧化烯丙基單碳酸第三丁酯、第三丁基過氧化苯等。該等可單獨使用，亦可組合2種以上使用。該等之中，就透明性、耐熱性及獲得性之觀點而言，較佳可列舉：過氧化二第三丁基、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烷、第三丁基過氧化苯。
    該等自由基產生劑之產生自由基之溫度不可一概決定，例如為100℃以上。
    自由基產生劑可使用市售品，或者亦可依據公知之方法而合成。
    於第1聚矽氧樹脂組合物中，自由基產生劑之含量例如為1.0×10-6~20質量%，較佳為1.0×10-6~10質量%。
    又，於將兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之R1基量設為100莫耳%之情形時，就維持所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物之柔軟性之觀點而言，自由基產生劑之含量例如為0.001~50莫耳%，較佳為0.01~10莫耳%。
    第1聚矽氧樹脂組合物只要含有兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物、二異氰酸酯及自由基產生劑，則可無特別限定地製備。
    就根據異氰酸酯基之反應與藉由自由基產生劑之交聯反應的各反應機制適當地選擇反應溫度及時間、進行反應、結束反應之觀點而言，第1聚矽氧樹脂組合物較佳為預先混合參與異氰酸酯基之反應之成分、即兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物及二異氰酸酯，其後調配自由基產生劑。
    參與異氰酸酯基之反應之成分之調配係藉由於例如0~100℃、較佳為10~60℃下攪拌兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物與二異氰酸酯、及視需要之有機溶劑等添加劑例如0.1~40小時而實施。
    作為有機溶劑，並無特別限定，就提高各成分之相溶性之觀點而言，較佳可列舉甲基乙基酮等酮。
    再者，亦可藉由上述混合而開始兩末端胺塞型聚矽氧樹脂組合物之胺基與二異氰酸酯之異氰酸酯基之反應之一部分，反應之進行度可藉由1H-NMR(1H-Nuclear Magnetic Resonance，氫核磁共振)測定並根據源自胺基之波峰之消失程度而確認。
    繼而，於上述參與異氰酸酯基之反應之成分之混合物中混合作為參與交聯反應之成分的自由基產生劑。第1聚矽氧樹脂組合物於進行異氰酸酯基之反應與藉由自由基產生劑之交聯反應的2種反應而獲得硬化物時，可藉由產生交聯反應而獲得硬化物(成形物)，因此只要將自由基產生劑均勻地混合於上述參與異氰酸酯基之反應之成分之混合物中，則混合方法並無特別限定。
    具體而言，於兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物與二異氰酸酯之混合物中調配自由基產生劑並攪拌混合。混合時間基於反應溫度或供於反應之成分之種類、量，不可一概決定，例如為0.1~40小時。再者，所獲得之混合物(反應物)可依據公知之方法除去溶劑等。
    如此所獲得之第1聚矽氧樹脂組合物於常溫下為固體，於40℃以上之溫度下表現出熱塑性行為，進而於50℃以上之溫度下表現出熱硬化性。
    具體而言，第1聚矽氧樹脂組合物之熱塑化溫度較佳為40~200℃，更佳為80~150℃。再者，熱塑化溫度為第1聚矽氧樹脂組合物表現出熱塑性之溫度，具體而言，為固體狀之第1聚矽氧樹脂組合物藉由加熱而軟化並完全成為液體狀之溫度，實質上與軟化溫度相同。
    又，第1聚矽氧樹脂組合物之熱硬化溫度較佳為100~200℃，更佳為130~200℃。熱硬化溫度為第1聚矽氧樹脂組合物表現出熱硬化性之溫度，具體而言，為液體狀之第1聚矽氧樹脂組合物藉由加熱而硬化並完全成為固體狀之溫度。
    第2聚矽氧樹脂組合物例如含有兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物、有機氫化聚矽氧烷、二異氰酸酯、及矽氫化觸媒。
    作為第2聚矽氧樹脂組合物中之兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物，可列舉與第1聚矽氧樹脂組合物中所例示之兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物相同之兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物。
    關於兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之含量，於第2聚矽氧樹脂組合物中例如為1~99.5質量%，較佳為80~99.5質量%。
    有機氫化聚矽氧烷為含有氫矽烷基(-SiH)之聚矽氧烷。更具體而言，有機氫化聚矽氧烷為直鏈狀，包括鍵結於主鏈上之側鏈上含有氫矽烷基之側鏈型有機氫化聚矽氧烷、及/或於分子之兩末端含有氫矽烷基之兩末端型有機氫化聚矽氧烷。
    側鏈型有機氫化聚矽氧烷例如以下述式(3)表示。
    (式中，E~H表示構成單元，E及H表示末端單元，F及G表示重複單元；R4表示1價烴基；又，e表示0或1以上之整數，f表示1以上之整數)。
    E~H構成側鏈型有機氫化聚矽氧烷。
    式(3)中，R4所表示之1價烴基相互可相同亦可不同，較佳為相同。
    作為R4所表示之1價烴基，可列舉與上述式(1)及(2)中R1所表示之1價烴基相同者，較佳可列舉甲基、苯基，更佳可列舉甲基。
    就反應性及穩定性之觀點而言，e較佳為表示1~10000之整數，更佳為表示1~5000之整數。
    f較佳為表示2以上之整數，又，就反應性及穩定性之觀點而言，較佳為表示1~10000之整數，更佳為表示1~1000之整數，就可獲得於室溫下呈現固體狀之聚矽氧樹脂組合物並賦予柔軟性之觀點而言，尤佳為表示大於e之整數，最佳為表示100~1000之整數。
    作為側鏈型有機氫化聚矽氧烷，例如可列舉：甲基氫矽氧烷、二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、乙基氫矽氧烷、甲基氫矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物等。
    就穩定性及操作性之觀點而言，側鏈型有機氫化聚矽氧烷之數量平均分子量例如為200~100000，較佳為200~80000。
    側鏈型有機氫化聚矽氧烷例如可依據公知之方法而合成，或者亦可使用市售品(例如Gelest公司、信越化學工業公司製造)。
    兩末端型有機氫化聚矽氧烷例如以下述式(4)表示。
    (式中，R~U表示構成單元，R及U表示末端單元，S及T表示重複單元；R5表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價烴基；又，g表示0以上之整數，t表示0以上之整數)。
    R~U構成兩末端型有機氫化聚矽氧烷。
    式(4)中，R5所表示之1價烴基相互可相同亦可不同，較佳為相同。
    作為R5所表示之1價烴基，可列舉與上述式(1)中R1所表示之1價烴基相同者，作為1價烴基，較佳可列舉甲基、苯基，更佳可列舉甲基。
    就反應性及穩定性之觀點而言，g較佳為表示0以上之整數，更佳為表示1~10000之整數，尤佳為表示1~5000之整數。
    就反應性及穩定性之觀點而言，t較佳為表示0以上之整數，更佳為表示1~10000之整數，尤佳為表示1~5000之整數。
    兩末端型有機氫化聚矽氧烷例如於t為1以上之情形時，係自主鏈分支出之側鏈、及主鏈之兩末端含有氫原子的側鏈-兩末端兼具氫之有機聚矽氧烷，具體而言，可列舉：兩末端為氫矽烷基之甲基氫聚矽氧烷、兩末端為氫矽烷基之(二甲基聚矽氧烷-甲基氫聚矽氧烷共聚物)、兩末端為氫矽烷基之乙基氫聚矽氧烷、兩末端為氫矽烷基之(甲基氫聚矽氧烷-甲基苯基聚矽氧烷共聚物)等。
    又，兩末端型有機氫化聚矽氧烷例如於t為0之情形時，係自主鏈分支出之側鏈不含氫原子且主鏈之兩末端含有氫原子的側鏈不含氫/兩末端含有氫之有機聚矽氧烷，具體而言可列舉：兩末端為氫矽烷基之聚二甲基矽氧烷、兩末端為氫矽烷基之聚甲基苯基矽氧烷、兩末端為氫矽烷基之聚二苯基矽氧烷等。
    作為兩末端型有機氫化聚矽氧烷，較佳可列舉式(5)所表示之側鏈不含氫/兩末端含有氫之有機聚矽氧烷。
    (式中，R5表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價烴基；又，g表示1以上之整數)。
    式(5)中，R5所表示之1價烴基相互可相同亦可不同，較佳為相同。
    式(5)中，R5表示與上述相同之含義，又，g表示與上述相同之含義。
    就穩定性及操作性之觀點而言，兩末端型有機氫化聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~30000，較佳為100~10000。
    兩末端型有機氫化聚矽氧烷例如可依據公知之方法而合成，或者亦可使用市售品。
    於有機氫化聚矽氧烷中，氫矽烷基含量具體而言例如為0.01~20 mmol/g，較佳為0.05~15 mmol/g。該氫矽烷基含量係利用1H-NMR並根據氫矽烷基與甲基之積分值而算出。
    有機氫化聚矽氧烷例如可依據公知之方法而合成，或者亦可使用市售品(例如Gelest公司、信越化學工業公司製造)。
    於第2聚矽氧樹脂組合物中，有機氫化聚矽氧烷之含量例如為0.0001~90質量%，較佳為0.001~50質量%。
    又，關於兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物與有機氫化聚矽氧烷之質量比，就使兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之烯基與有機氫化聚矽氧烷之SiH底(氫矽烷基)恰好完全反應之觀點而言，官能基之莫耳比(烯基/SiH基)例如為1/1~0.1/1，較佳為1/1~0.2/1，更佳為1/1~0.5/1，尤佳為實質上等量(1/1)。
    作為二異氰酸酯，可列舉與第1聚矽氧樹脂組合物中所例示之二異氰酸酯相同之二異氰酸酯。
    於第2聚矽氧樹脂組合物中，二異氰酸酯之含量例如為1.0×10-5~20質量%，較佳為1.0×10-5~10質量%。
    又，關於兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物與二異氰酸酯之質量比，就使兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之胺基與二異氰酸酯之異氰酸酯基恰好完全反應之觀點而言，官能基之莫耳比(胺基/異氰酸酯基)例如為1/1~0.1/1，較佳為1/1~0.2/1，更佳為1/1~0.5/1，尤佳為實質上等量(1/1)。
    作為矽氫化觸媒，只要為催化兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之烯基與有機氫化聚矽氧烷之氫矽烷基之矽氫化反應的化合物則無特別限定，例如可列舉：鉑黑、氯鉑、氯鉑酸、鉑烯烴錯合物、鉑羰基錯合物、乙醯乙酸鉑等鉑觸媒，例如可列舉鈀觸媒，例如可列舉銠觸媒等。
    關於第2聚矽氧樹脂組合物中之矽氫化觸媒之含量，例如於使用鉑觸媒之情形時，就反應速度之觀點而言，鉑含量相對於有機氫化矽氧烷100質量份，例如為1.0×10-10~0.5質量份，較佳為1.0×10-8~1.0×10-3質量份。
    並且，第2聚矽氧樹脂組合物只要為含有兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物、有機氫化聚矽氧烷、二異氰酸酯、及矽氫化觸媒之各成分，則可無特別限定地製備。
    第2聚矽氧樹脂組合物就根據異氰酸酯基之反應與矽氫化反應之各反應機制適當地選擇反應溫度及時間、進行及結束反應之觀點而言，亦可於預先混合參與異氰酸酯基之反應之成分後混合參與矽氫化反應之成分。
    參與異氰酸酯基之反應之成分之混合可藉由於例如0~100℃、較佳為10~60℃下攪拌兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物與二異氰酸酯、及視需要之有機溶劑等添加劑例如0.1~40小時而實施。
    作為有機溶劑，並無特別限定，就提高各成分之相溶性之觀點而言，較佳可列舉甲基乙基酮等酮。
    再者，可藉由上述混合而開始兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之胺基與二異氰酸酯之異氰酸酯基的反應之一部分，反應之進行度可藉由1H-NMR測定並根據源自胺基之波峰之消失程度而確認。
    其後，於上述參與異氰酸酯基之反應之成分之混合物中調配作為參與矽氫化反應之成分的有機氫化聚矽氧烷及矽氫化觸媒。
    第2聚矽氧樹脂組合物可藉由利用其後之加熱產生上述矽氫化反應而獲得硬化物(成形物)，因此只要將參與矽氫化反應之成分約勻地混合於上述參與異氰酸酯基之反應之成分之混合物中，則混合方法並無特別限定。
    具體而言，於兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物與二異氰酸酯之混合物中調配有機氫化聚矽氧烷及矽氫化觸媒並攪拌混合。混合時間基於反應溫度或供於反應之成分之種類、量，不可一概決定，例如為0.1~40小時。作為混合方法，只要可均勻地混合各成分則並無特別限定。再者，所獲得之混合物可依據公知之方法除去溶劑等。
    如此所獲得之第2聚矽氧樹脂組合物於常溫下為固體，於40℃以上之溫度下表現出熱塑性行為，進而於50℃以上之溫度下表現出熱硬化性。
    具體而言，第2聚矽氧樹脂組合物之熱塑化溫度例如為40~200℃，較佳為40~150℃。
    又，於如下之熱硬化溫度下，於第2聚矽氧樹脂組合物中，進行矽氫化反應而使第2聚矽氧樹脂組合物熱硬化。
    熱硬化溫度例如為100~200℃，較佳為130~200℃。再者，矽氫化反應之進行度可藉由1H-NMR測定並根據源自兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之胺基之訊號之強度而確認，訊號消失之階段視為反應結束。
    第3聚矽氧樹脂組合物係藉由使籠型八倍半矽氧烷、與含有烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下進行反應而獲得。
    籠型八倍半矽氧烷為3官能聚矽氧單體之八聚物，具體而言具有8個下述式(6)所表示之基， (式中，R6表示1價烴基，R7表示氫或1價烴基；其中，作為籠型八倍半矽氧烷整體之平均值，R7之1價烴基：氫之莫耳比為6.5：1.5~5.5：2.5之範圍)。
    更具體而言，以下述式(7)表示。
    (式中，R6及R7表示與上述相同之含義；又，R7之1價烴基：氫之莫耳比與上述相同)。
    上述式(6)及(7)中，R6所表示之1價烴基例如為飽和烴基或芳香族烴基。
    作為飽和烴基，例如可列舉：直鏈狀飽和烴基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等碳數1~6之烷基)、分支狀飽和烴基(例如異丙基、異丁基等碳數3~6之烷基)、環狀飽和烴基(例如環己基等碳數3~6之環烷基)等。
    作為芳香族烴基，例如可列舉：苯基、苄基、甲苯基等碳數6~8之芳基等。
    1價烴基之碳數例如為1~8，較佳為1~6。
    R6相互可相同亦可不同，較佳為相同。
    作為1價烴基，就製備之容易性及熱穩定性之觀點而言，較佳可列舉飽和之直鏈狀之烴基，更佳可列舉碳數1~6之烷基，尤佳為可列舉甲基。
    上述式(6)及(7)中，作為R7所表示之1價烴基，可列舉與上述R1所表示之1價烴基相同者。較佳可列舉甲基。
    關於式(7)中之R7之1價烴基：氫之莫耳比，籠型八倍半矽氧烷整體之平均值為6.5：1.5~5.5：2.5之範圍，較佳為6.0：2.0~5.5：2.5之範圍。
    即，於1分子籠型八倍半矽氧烷中，形成1.5~2.5個(具體而言為2個)上述式(6)所表示之基，較佳為形成2~2.5個(具體而言為2個)氫矽烷基(-SiH)。
    於上述R7之1價烴基：氫之莫耳比超過6.5/1.5(=6.5：1.5)之情形(例如7/1(=7：1))時，由於氫矽烷基之莫耳數過少，故而相對於含有烯基之聚矽氧烷之籠型八倍半矽氧烷之反應程度過度地降低，所獲得之第3聚矽氧樹脂組合物之分子量降低，有時無法獲得固體狀之聚矽氧樹脂組合物。
    另一方面，於上述R7之1價烴基：氫之莫耳比未達5.5/2.5(=5.5：2.5)之情形(例如5/3(=5：3))時，由於籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數過多，故而相對於含有烯基之聚矽氧烷之籠型八倍半矽氧烷之反應程度過度地增大，因此有時第3聚矽氧樹脂組合物無法表現出熱塑性。
    作為上述籠型八倍半矽氧烷，具體而言例如可列舉如下籠型八倍半矽氧烷等：上述式(6)及(7)中，R6為甲基，R7為甲基或氫，作為籠型八倍半矽氧烷整體之平均值，R7之甲基：氫之莫耳比為5.5：2.5、6：2、或6.5：1.5。
    上述式(7)所表示之籠型八倍半矽氧烷例如可依據公知之方法(例如依據日本專利特開2007-246880號公報等之記載)而合成。
    具體而言，使四烷氧基矽烷(四乙氧基矽烷等)於甲醇等醇及/或水、與觸媒之存在下進行反應，合成八(倍半矽氧烷)骨架(於式(7)中除去式(6)之底之部分)，其後以對應於上述R7之1價烴基：氫之莫耳比之調配比例調配二烷基氯矽烷(二甲基氯矽烷等)及三烷基氯矽烷(三甲基氯矽烷等)，使鍵結於八(倍半矽氧烷)骨架之矽原子上之烷氧基(乙氧基等)、與二烷基氯矽烷及三烷基氯矽烷進行反應。反應後，視需要純化反應物。藉此可獲得籠型八倍半矽氧烷。
    再者，籠型八倍半矽氧烷亦可使用市售品。
    含有烯基之聚矽氧烷為分子之兩末端含有烯基的兩末端含有烯基之聚矽氧烷具體而言，以下述式(8)表示。
    (式中，R8表示1價烴基，R9表示烯基；又，i表示1以上之整數)。
    式(8)中，R8所表示之1價烴基可相同或亦可不同，較佳為相同。
    作為R8所表示之1價烴基，可列舉與上述式(6)及(7)中R6所表示之1價烴基相同者，較佳可列舉甲基、苯基，更佳可列舉甲基。
    式(8)中，作為R9所表示之烯基，例如可列舉經取代或未經取代之烯基，較佳可列舉未經取代之烯基。
    作為此種烯基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基等碳數2~10之烯基。
    烯基之碳數例如為2~10，較佳為2~5。
    R9相互可相同亦可不同，較佳為相同。
    作為烯基，就與籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之反應性之觀點而言，較佳可列舉碳數2~5之烯基，更佳可列舉乙烯基。
    就反應性及穩定性之觀點而言，i較佳為表示1~5000之整數，更佳為表示1~1000之整數。
    就安全性及操作性之觀點而言，上述式(8)所表示之含有烯基之聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~10000，較佳為300~5000。
    上述式(8)所表示之含有烯基之聚矽氧烷例如可依據公知之方法而合成，或者亦可使用市售品(例如Gelest公司製造)。
    作為矽氫化觸媒，可列舉與第2聚矽氧樹脂組合物中所例示之矽氫化觸媒相同者，就相溶性及透明性之觀點而言，較佳可列舉鉑觸媒，更佳可列舉鉑烯烴錯合物，具體而言可列舉：鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物等之鉑-二乙烯基矽氧烷錯合物等。
    再者，亦可將矽氫化觸媒製備成公知之溶劑(甲苯等)溶液。
    矽氫化觸媒(固形物成分)之調配比例相對於籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如為1.0×10-10~3質量份，較佳為1.0×10-8~1質量份。
    繼而，使籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下，以籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數變得多於含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數(過量)之方式進行反應。
    烯基與氫矽烷基之莫耳比(烯基之莫耳數/氫矽烷基之莫耳數)未達1，例如為0.10~0.99，較佳為0.20~0.99，更佳為0.50~0.99。
    另一方面，於上述莫耳比超出上述範圍之情形時，氫矽烷基變得少於烯基，於該情形時，有時於反應後未殘存過量部分之氫矽烷基，而無法對第3聚矽氧樹脂組合物賦予熱硬化性。
    並且，於使上述籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷進行反應時，將其等以上述調配比例與矽氫化觸媒及溶劑一併調配，其後視需要加熱其等。
    作為溶劑，例如可列舉甲苯等芳香族烴，例如可列舉己烷等脂肪族烴，例如可列舉乙酸乙酯等酯等。就提高各成分之相溶性之觀點而言，較佳可列舉芳香族烴，更佳可列舉甲苯。
    反應溫度例如為0~100℃，較佳為20~80℃，反應時間例如為0.5~96小時。
    藉此，籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基、與含有烯基之聚矽氧烷之烯基進行矽氫化反應。
    再者，矽氫化反應之程度可藉由1H-NMR測定並根據源自含有烯基之聚矽氧烷之烯基之訊號之強度而確認，將該訊號消失之時視為矽氫化反應結束。
    於上述矽氫化反應中，籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷以氫矽烷基之莫耳數與烯基之莫耳數相比過量之方式進行反應，因此於該反應後，殘存氫矽烷基之過量部分，該過量部分之氫矽烷基藉由其後之加熱(例如100~200℃之加熱)而與空氣中之水分發生水解及縮合反應，相互鍵結(立體交聯)，藉此對第3聚矽氧樹脂組合物賦予熱硬化性。
    藉此，可獲得第3聚矽氧樹脂組合物。
    所獲得之第3聚矽氧樹脂組合物為固體狀。籠型八倍半矽氧烷之立體阻礙使含有烯基之聚矽氧烷之運動性降低，因此獲得固體狀之第3聚矽氧樹脂組合物。
    第3聚矽氧樹脂組合物之熱塑化溫度例如為40~100℃，較佳為50~90℃。
    暫時塑化之第3聚矽氧樹脂組合物之熱硬化性係藉由利用其後之加熱，使過量部分之氫矽烷基進行水解及縮合反應，而相互鍵結(立體交聯)而表現。
    又，第3聚矽氧樹脂組合物之熱硬化溫度例如為150~300℃，較佳為180~250℃。
    第4聚矽氧樹脂組合物含有籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及含有羥基之聚矽氧烷。
    作為第4聚矽氧樹脂組合物中之籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷及矽氫化觸媒，可分別列舉分別與第3聚矽氧樹脂組合物中所例示之籠型八倍半矽氧烷、第3聚矽氧樹脂組合物中所例示之含有烯基之聚矽氧烷、及第2聚矽氧樹脂組合物中所例示之矽氫化觸媒相同者。
    含有羥基之聚矽氧烷例如為含有複數個(例如2個)羥基之聚矽氧烷，更具體而言為分子之兩末端含有羥基之兩末端型聚矽氧烷。詳細而言，含有羥基之聚矽氧烷以下述式(9)表示。
    (式中，R10表示1價烴基；又，j表示1以上之整數)。
    式(9)中，R10所表示之1價烴基相互可相同亦可不同，較佳為相同。
    作為R10所表示之1價烴基，可列舉與上述式(5)及(6)中R6所表示之1價烴基相同者，較佳可列舉甲基、苯基，更佳可列舉甲基。
    就反應性及穩定性之觀點而言，j較佳為表示1~10000之整數，更佳為表示1~5000之整數。
    就安全性及操作性之觀點而言，上述式(9)所表示之含有羥基之聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~100000，較佳為500~50000。
    上述式(9)所表示之含有羥基之聚矽氧烷例如可依據公知之方法而合成，或者亦可使用市售品(例如Gelest公司製造)。
    並且，第4聚矽氧樹脂組合物係藉由調配籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及含有羥基之聚矽氧烷而製備。
    籠型八倍半矽氧烷之調配比例相對於第4聚矽氧樹脂組合物，例如為1~50質量%，較佳為5~40質量%。
    含有烯基之聚矽氧烷之調配比例係以含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數變得少於籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數之方式調整。
    即，烯基與氫矽烷基之莫耳比(烯基之莫耳數/氫矽烷基之莫耳數)未達1，例如為0.10~0.99，較佳為0.20~0.99，更佳為0.50~0.99。
    於上述莫耳比超出上述範圍之情形時，氫矽烷基變得少於烯基，於該情形時，有時於反應後殘存過量部分之氫矽烷基，而無法對第4聚矽氧樹脂組合物賦予熱硬化性。
    另一方面，於上述莫耳比未達上述範圍之情形時，有時過量地殘存氫矽烷基，籠型八倍半矽氧烷彼此因由空氣中之水分引起之水解及自縮合而硬化，從而無法獲得柔軟性。
    矽氫化觸媒(固形物成分)之調配比例相對於籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如為1.0×10-10~3質量份，較佳為1.0×10-8~1質量份。
    關於含有羥基之聚矽氧烷之調配比例係以其羥基之莫耳數(X)相對於自籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數減去含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數所得的莫耳數(Y)的莫耳比(X/Y)例如成為0.001~1000，較佳為成為0.01~100之方式進行調整。換言之，含有羥基之聚矽氧烷之調配比例相對於籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如為0.1~50質量份，較佳為1~30質量份。
    於製備第4聚矽氧樹脂組合物時，較佳為將藉由使籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下進行反應所獲得之聚矽氧樹脂組合物前驅物、與含有羥基之聚矽氧烷進行調配。
    即，首先使籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下，以籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數變得多於含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數(過量)之方式進行反應，而獲得聚矽氧樹脂組合物前驅物。
    於獲得聚矽氧樹脂組合物前驅物時，更具體而言，將上述籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷以上述調配比例與矽氫化觸媒、及視需要之溶劑一併調配，其後視需要加熱其等。
    作為溶劑，例如可列舉甲苯等芳香族烴，例如可列舉己烷等脂肪族烴，例如可列舉乙酸乙酯等酯等。就提高各成分之相溶性之觀點而言，較佳可列舉芳香族烴，更佳可列舉甲苯。
    反應溫度例如為0~100℃，較佳為20~80℃，反應時間例如為0.5~96小時。
    藉此，籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷進行反應。即，籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基、與含有烯基之聚矽氧烷之烯基進行矽氫化反應。
    再者，籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基、與含有烯基之聚矽氧烷之烯基的矽氫化反應之程度可藉由1H-NMR測定並根據源自含有烯基之聚矽氧烷之烯基之訊號之強度而確認，將該訊號消失之時視為矽氫化反應結束。
    於上述矽氫化反應中，籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷以氫矽烷基之莫耳數與烯基之莫耳數相比過量之方式進行反應，於該反應後，殘存氫矽烷基之過量部分。
    藉此，獲得聚矽氧樹脂組合物前驅物。
    再者，聚矽氧樹脂組合物前驅物為液體狀或半固體狀。
    繼而，以上述比例調配所獲得之聚矽氧樹脂組合物前驅物、與含有羥基之聚矽氧烷。藉由其後之加熱，使聚矽氧樹脂組合物前驅物、與含有羥基之聚矽氧烷進行反應。再者，視需要蒸餾去除溶劑。
    藉此，可獲得第4聚矽氧樹脂組合物。
    所獲得之第4聚矽氧樹脂組合物為固體狀。籠型八倍半矽氧烷之立體阻礙使含有烯基之聚矽氧烷之運動性降低，因此獲得固體狀之第4聚矽氧樹脂組合物。
    藉由加熱，籠型八倍半矽氧烷及含有烯基之聚矽氧烷之運動性提高，藉此第4聚矽氧樹脂組合物表現出熱塑性。
    第4聚矽氧樹脂組合物之熱塑化溫度例如為40~150℃，較佳為50~100℃。
    具體而言，暫時塑化之第4聚矽氧樹脂組合物之熱硬化性係藉由使第4聚矽氧樹脂組合物前驅物中殘存之氫矽烷基、與含有羥基之聚矽氧烷之羥基進行反應而表現。
    更具體而言，第4聚矽氧樹脂組合物前驅物中之籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基、與含有羥基之聚矽氧烷之羥基進行縮合反應。
    又，第4聚矽氧樹脂組合物之熱硬化溫度相對較低，例如為100~250℃，較佳為120~250℃。熱硬化溫度為第4聚矽氧樹脂組合物表現出熱硬化性之溫度，具體而言為塑化之第4聚矽氧樹脂組合物藉由加熱而硬化並完全成為固體狀之溫度。
    該第4聚矽氧樹脂組合物含有包含羥基之聚矽氧烷，因此含有羥基之聚矽氧烷之羥基與籠型八倍半矽氧烷之殘餘之氫矽烷基進行反應，藉此可使籠型八倍半矽氧烷進行交聯。因此，可提高第4聚矽氧樹脂組合物之柔軟性。
    又，第4聚矽氧樹脂組合物可降低其熱硬化溫度(例如100~250℃)。
    第5聚矽氧樹脂組合物含有籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及有機氫化聚矽氧烷。
    於第5聚矽氧樹脂組合物中，作為籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷及矽氫化觸媒，可分別列舉與第4聚矽氧樹脂組合物中所例示之籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷及矽氫化觸媒相同者。於有機氫化聚矽氧烷中，氫矽烷基含量例如為0.01~20 mmol/g，較佳為0.05~15 mmol/g。
    於第5聚矽氧樹脂組合物中，作為有機氫化聚矽氧烷，可列舉與第2聚矽氧樹脂組合物中所例示之有機氫化聚矽氧烷相同者。
    並且，第5聚矽氧樹脂組合物係藉由調配籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及有機氫化聚矽氧烷而製備。
    籠型八倍半矽氧烷之調配比例相對於第5聚矽氧樹脂組合物，例如為10~80質量%，較佳為10~70質量%。
    含有烯基之聚矽氧烷之調配比例係以含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數變得少於籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數之方式進行調整。
    即，烯基相對於氫矽烷基之莫耳比(烯基之莫耳數/氫矽烷基之莫耳數)未達1，例如為0.10~0.99，較佳為0.20~0.99，更佳為0.50~0.99。
    於上述莫耳比超出上述範圍之情形時，氫矽烷基變得少於烯基，於該情形時，有時於反應後未殘存過量部分之氫矽烷基，而無法對第5聚矽氧樹脂組合物賦予熱硬化性。
    另一方面，於上述莫耳比未達上述範圍之情形時，有時過量地殘存氫矽烷基，籠型八倍半矽氧烷彼此因由空氣之水分引起之水解及自縮合而硬化，從而無法獲得柔軟性。
    矽氫化觸媒(固形物成分)之調配比例相對於籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如為1.0×10-10~3質量份，較佳為1.0×10-8~1質量份。
    有機氫化聚矽氧烷之調配比例係以其氫矽烷基之莫耳數(X)相對於自籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數減去含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數所得的莫耳數(Y)的莫耳比(X/Y)例如成為0.001~1000，較佳為成為0.01~100之方式進行調整。換言之，有機氫化聚矽氧烷之調配比例相對於籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如為0.01~100質量份，較佳為0.01~50質量份。
    又，有機氫化聚矽氧烷之調配比例相對於第5聚矽氧樹脂組合物整體，例如為0.01~50質量%，較佳為0.01~30質量%。
    於製備第5聚矽氧樹脂組合物時，較佳為將藉由使籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下進行反應所獲得之聚矽氧樹脂組合物前驅物、與有機氫化聚矽氧烷進行調配。
    即，首先使籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下，以籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數變得多於含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數(過量)之調配比例進行反應，獲得聚矽氧樹脂組合物前驅物。
    於獲得聚矽氧樹脂組合物前驅物時，更具體而言，將上述籠型八倍半矽氧烷、含有烯基之聚矽氧烷以上述調配比例與矽氫化觸媒、及視需要之溶劑一併調配，其後視需要加熱其等。
    作為溶劑，例如可列舉甲苯等芳香族烴，例如可列舉己烷等脂肪族烴，例如可列舉乙酸乙酯等酯等。就提高各成分之相溶性之觀點而言，較佳可列舉芳香族烴，更佳可列舉甲苯。
    反應溫度例如為0~100℃，較佳為20~80℃，反應時間例如為0.5~96小時。
    藉此，籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷進行反應。即，籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基、與含有烯基之聚矽氧烷之烯基進行矽氫化反應。
    再者，籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基、與含有烯基之聚矽氧烷之烯基的矽氫化反應之程度可藉由1H-NMR測定並根據源自含有烯基之聚矽氧烷之烯基之訊號之強度而確認，將該訊號消失之時視為矽氫化反應結束。
    於上述矽氫化反應中，籠型八倍半矽氧烷與含有烯基之聚矽氧烷以氫矽烷基之莫耳數與烯基之莫耳數相比過量之方式進行反應，於該反應後，殘存氫矽烷基之過量部分。
    藉此，獲得聚矽氧樹脂組合物前驅物。
    再者，聚矽氧樹脂組合物前驅物為液體狀或半固體狀。
    繼而，以上述比例調配所獲得之聚矽氧樹脂組合物前驅物、與有機氫化聚矽氧烷。藉由其後之加熱(下述)，使聚矽氧樹脂組合物前驅物、與有機氫化聚矽氧烷進行反應。再者，視需要蒸餾去除溶劑。
    藉此，可獲得第5聚矽氧樹脂組合物。
    所獲得之第5聚矽氧樹脂組合物為固體狀。籠型八倍半矽氧烷之立體阻礙使含有烯基之聚矽氧烷之運動性降低，因此獲得固體狀之第5聚矽氧樹脂組合物。
    並且，第5聚矽氧樹脂組合物由於R7之1價烴基：氫之莫耳比為特定範圍，故而於籠型八倍半矽氧烷中調整了與含有烯基之聚矽氧烷之烯基進行反應之氫矽烷基之比例。並且，含有烯基之聚矽氧烷係以其烯基之莫耳數變得少於籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數之方式與籠型八倍半矽氧烷進行反應。因此，所獲得之第5聚矽氧樹脂組合物之透明性及耐熱性優異，並且可兼具熱塑性及熱硬化性。
    即，第5聚矽氧樹脂組合物藉由上述加熱而暫時塑化(或液狀化)，其後熱硬化。
    第5聚矽氧樹脂組合物藉由加熱使籠型八倍半矽氧烷及含有烯基之聚矽氧烷之運動性提高，藉此表現出熱塑性。
    再者，第5聚矽氧樹脂組合物之熱塑化溫度例如為40~150℃，較佳為50~100℃。再者，熱塑化溫度為第5聚矽氧樹脂組合物表現出熱塑性之溫度，具體而言為固體狀之第5聚矽氧樹脂組合物藉由加熱而軟化並完全成為液體狀之溫度，與軟化溫度實質上相同。
    暫時塑化之第5聚矽氧樹脂組合物之熱硬化性具體而言藉由使聚矽氧樹脂組合物前驅物中殘存之氫矽烷基、與有機氫化聚矽氧烷之氫矽烷基進行反應而表現。
    更具體而言，聚矽氧樹脂組合物前驅物中之籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基與有機氫化聚矽氧烷之氫矽烷基、與空氣中之水進行反應(水解)，發生脫水(分子間脫水)縮合反應。
    又，第5聚矽氧樹脂組合物之熱硬化溫度相對較低，例如為100~250℃，較佳為120~250℃。熱硬化溫度為第5聚矽氧樹脂組合物表現出熱硬化性之溫度，具體而言為塑化之第5聚矽氧樹脂組合物藉由加熱而硬化並完全成為固體狀之溫度。
    於該第5聚矽氧樹脂組合物中，有機氫化聚矽氧烷之氫矽烷基、與籠型八倍半矽氧烷之殘餘之氫矽烷基進行反應。即，藉由脫水(分子間脫水)縮合反應，可使籠型八倍半矽氧烷進行交聯。因此，可提高第5聚矽氧樹脂組合物之柔軟性。
    又，第5聚矽氧樹脂組合物可降低其熱硬化溫度(例如100~250℃)。
    第6聚矽氧樹脂組合物含有籠型八倍半矽氧烷、兩末端含有烯基之聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及側鏈含有烯基之聚矽氧烷。
    於第6聚矽氧樹脂組合物中，作為籠型八倍半矽氧烷、兩末端含有烯基之聚矽氧烷及矽氫化觸媒，可列舉與第3聚矽氧樹脂組合物中所例示之籠型八倍半矽氧烷、第3聚矽氧樹脂組合物中所例示之兩末端含有烯基之聚矽氧烷、第2聚矽氧樹脂組合物中所例示之矽氫化觸媒相同者。
    側鏈含有烯基之聚矽氧烷係側鏈含有2個以上烯基之聚矽氧烷。作為此種側鏈含有烯基之聚矽氧烷，例如可列舉：含有烯基作為鍵結於含有直鏈狀之矽氧烷部分(-Si-O-)之主鏈(之矽原子)上之側鏈的含有直鏈狀矽氧烷之聚矽氧烷、及/或含有鍵結於分枝狀之矽氧烷部分之矽原子上之烯基的含有分枝狀矽氧烷之聚矽氧烷。
    含有直鏈狀矽氧烷之聚矽氧烷具體而言以下述式(10)表示。
    (式中，I~L為構成單元，I及L表示末端單元，J及K表示重複單元；R11表示1價烴基，R12表示烯基；又，k表示0或1以上之整數，m表示2以上之整數)。
    I~L構成含有直鏈狀矽氧烷之聚矽氧烷。
    式(10)中，R11所表示之1價烴基相互可相同亦可不同，較佳為相同。
    作為R11所表示之1價烴基，可列舉與上述式(1)中R1所表示之1價烴基相同者，較佳可列舉甲基、苯塞，更佳可列舉甲基。
    就反應性及穩定性之觀點而言，k較佳為表示1~10000之整數，更佳為表示1~5000之整數。
    就反應性及穩定性之觀點而言，m較佳為表示2~500之整數，更佳為表示2~100之整數。
    就穩定性及操作性之觀點而言，含有直鏈狀矽氧烷之聚矽氧烷之數量平均分子量例如為200~1000000，較佳為200~80000。
    含有直鏈狀矽氧烷之聚矽氧烷之乙烯基含量例如為0.01~10 mmol/g，較佳為0.1~5 mmol/g。含有直鏈狀矽氧烷之聚矽氧烷之乙烯基含量係利用1H-NMR並根據乙烯基與甲基之面積比而測定。
    含有直鏈狀矽氧烷之聚矽氧烷例如可依據公知之方法而合成，或者亦可使用市售品(例如Gelest公司製造)。
    含有分枝狀矽氧烷之聚矽氧烷具體而言以下述式(11)表示。
    (式中，M、N、P及Q為構成單元，M、N及P表示重複單元，Q表示末端單元；R13表示1價烴基；又，n表示1以上之整數，P及q表示0或1以上之整數，r表示4以上之整數；進而，於每1分子中，至少2個R13為烯基)。
    M、N、P及Q構成含有分枝狀矽氧烷之聚矽氧烷。
    R13所表示之1價烴基例如為飽和烴基、芳香族烴基、或不飽和烴基(芳香族烴基除外)。
    作為飽和烴基及芳香族烴基，可列舉與上述式(1)中R1所表示之1價烴基相同者，較佳可列舉甲基、苯基，更佳可列舉甲基。
    作為不飽和烴基(芳香族烴基除外)，可列舉與上述式(1)中R2所表示之烯基相同者，較佳可列舉乙烯基。
    式(11)中，R13所表示之1價烴基至少包含烯基，較佳為包含烷基及/或苯基、烯基，更佳為包含甲基與乙烯基。
    含有分枝狀矽氧烷之聚矽氧烷中之烯基之數為2以上，較佳為3以上，通常為30以下。
    n較佳為表示1~100之整數，更佳為表示1~50之整數。
    p較佳為表示1~100之整數，更佳為表示1~50之整數。
    q較佳為表示1~100之整數，更佳為表示1~50之整數。
    r較佳為表示4~100之整數，更佳為表示4~30之整數。
    就穩定性及操作性之觀點而言，含有分枝狀矽氧烷之聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~10000，較佳為200~8000。
    含有分枝狀矽氧烷之聚矽氧烷之乙烯基含量例如為0.01~100 mmol/g，較佳為0.1~10 mmol/g。含有分枝狀矽氧烷之聚矽氧烷之乙烯基含量係利用1H-NMR並根據乙烯基與甲基之面積比而測定。
    含有分枝狀矽氧烷之聚矽氧烷例如可依據公知之方法而合成，或者亦可使用市售品(例如Gelest公司製造)。
    並且，第6聚矽氧樹脂組合物係藉由調配籠型八倍半矽氧烷、兩末端含有烯基之聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及側鏈含有烯基之聚矽氧烷而製備。
    籠型八倍半矽氧烷之調配比例相對於第6聚矽氧樹脂組合物，例如為10~80質量%，較佳為10~70質量%。
    兩末端含有烯基之聚矽氧烷之調配比例係以兩末端含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數變得少於籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數之方式進行調整。
    即，烯基相對於氫矽烷基之莫耳比(烯基之莫耳數/氫矽烷基之莫耳數)未達1，例如為0.10~0.99，較佳為0.20~0.99，更佳為0.50~0.99。換言之，兩末端含有烯基之聚矽氧烷之調配比例相對於籠型八倍半矽氧烷與兩末端含有烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如為0.001~30質量份，較佳為0.01~20質量份。又，相對於籠型八倍半矽氧烷與兩末端含有烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如亦可將兩末端含有烯基之聚矽氧烷之調配比例設定為0.01~100質量份，較佳為設定為0.1~50質量份。
    於上述莫耳比超出上述範圍之情形時，氫矽烷基變得少於烯基，於該情形時，有時於反應後未充分地殘存過量部分之氫矽烷基，而無法對第6聚矽氧樹脂組合物賦予熱硬化性。
    另一方面，於上述莫耳比未達上述範圍之情形時，有時過量地殘存氫矽烷基，籠型八倍半矽氧烷彼此因由空氣中之水分引起之水解及自縮合而硬化，從而無法獲得柔軟性。
    矽氫化觸媒(固形物成分)之調配比例相對於籠型八倍半矽氧烷與兩末端含有烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如為1.0×10-10~3質量份，較佳為1.0×10-8~1質量份。
    側鏈含有烯基之聚矽氧烷之調配比例係以其烯基之莫耳數(X)相對於自籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數減去兩末端含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數所得之莫耳數(Y)的莫耳比(X/Y)例如成為0.001~1000，較佳為成為0.01~100之方式進行調整。
    於製備第6聚矽氧樹脂組合物時，較佳為將藉由使籠型八倍半矽氧烷與兩末端含有烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下進行反應所獲得之第6聚矽氧樹脂組合物前驅物、與側鏈含有烯基之聚矽氧烷進行調配。
    即，首先使籠型八倍半矽氧烷與兩末端含有烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下，以籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數變得多於兩末端含有烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數(過量)之調配比例進行反應，藉此獲得第6聚矽氧樹脂組合物前驅物。
    於獲得第6聚矽氧樹脂組合物前驅物時，更具體而言，將上述籠型八倍半矽氧烷、兩末端含有烯基之聚矽氧烷以上述調配比例與矽氫化觸媒、及視需要之溶劑一併調配，其後視需要加熱其等。
    作為溶劑，例如可列舉甲苯等芳香族烴，例如可列舉己烷等脂肪族烴，例如可列舉乙酸乙酯等酯等。就提高各成分之相溶性之觀點而言，較佳可列舉芳香族烴，更佳可列舉甲苯。
    反應溫度例如為0~100℃，較佳為20~80℃，反應時間例如為0.5~96小時。
    藉此，籠型八倍半矽氧烷與兩末端含有烯基之聚矽氧烷進行反應。即，籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基、與兩末端含有烯基之聚矽氧烷之烯基進行矽氫化反應。
    再者，籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基、與兩末端含有烯基之聚矽氧烷之烯基的矽氫化反應之程度係藉由1H-NMR測定並根據源自兩末端含有烯基之聚矽氧烷之烯基之訊號之強度而確認，將該訊號消失之時視為矽氫化反應結束。
    於上述矽氫化反應中，籠型八倍半矽氧烷與兩末端含有烯基之聚矽氧烷以氫矽烷基之莫耳數與烯基之莫耳數相比過量之方式進行反應，於該反應後，殘存氫矽烷基之過量部分。
    藉此，獲得第6聚矽氧樹脂組合物前驅物。
    再者，第6聚矽氧樹脂組合物前驅物為液體狀或半固體狀。
    繼而，以上述比例調配所獲得之第6聚矽氧樹脂組合物前驅物、與側鏈含有烯基之聚矽氧烷。藉由其後之加熱(下述)，使第6聚矽氧樹脂組合物前驅物、與側鏈含有烯基之聚矽氧烷進行反應。再者，視需要蒸餾去除溶劑。
    藉此，可獲得第6聚矽氧樹脂組合物。
    所獲得之第6聚矽氧樹脂組合物為固體狀。籠型八倍半矽氧烷之立體阻礙使兩末端含有烯基之聚矽氧烷之運動性降低，因此獲得固體狀之第6聚矽氧樹脂組合物。
    並且，第6聚矽氧樹脂組合物由於籠型八倍半矽氧烷中之1價烴基：氫之莫耳比為特定範圍，故而於籠型八倍半矽氧烷中調整了與兩末端含有烯基之聚矽氧烷之烯基進行反應之氫矽烷基之比例。並且，兩末端含有烯基之聚矽氧烷係以其烯基之莫耳數變得少於籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數之方式與籠型八倍半矽氧烷進行反應。因此，所獲得之第6聚矽氧樹脂組合物之透明性及耐熱性優異，並且可兼具熱塑性及熱硬化性。
    即，第6聚矽氧樹脂組合物藉由上述加熱而暫時塑化(或液狀化)，其後熱硬化。
    第6聚矽氧樹脂組合物藉由加熱而使籠型八倍半矽氧烷及兩末端含有烯基之聚矽氧烷之運動性提高，藉此表現出熱塑性。
    再者，第6聚矽氧樹脂組合物之熱塑化溫度例如為40~150℃，較佳為50~100℃。再者，熱塑化溫度為第6聚矽氧樹脂組合物表現出熱塑性之溫度，具體而言為固體狀之第6聚矽氧樹脂組合物藉由加熱而軟化並完全成為液體狀之溫度，與軟化溫度實質上相同。
    暫時塑化之第6聚矽氧樹脂組合物之熱硬化性具體而言藉由使第6聚矽氧樹脂組合物前驅物中殘存之氫矽烷基、與側鏈含有烯基之聚矽氧烷之烯基進行反應而表現。
    更具體而言，第6聚矽氧樹脂組合物前驅物中之籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基與側鏈含有烯基之聚矽氧烷之烯基進行矽氫化反應。
    又，第6聚矽氧樹脂組合物之熱硬化溫度相對較低，例如為100~250℃，較佳為120~250℃。熱硬化溫度為第6聚矽氧樹脂組合物表現出熱硬化性之溫度，具體而言為塑化之第6聚矽氧樹脂組合物藉由加熱而硬化並完全成為固體狀之溫度。
    於該第6聚矽氧樹脂組合物中，藉由使側鏈含有烯基之聚矽氧烷之烯基與籠型八倍半矽氧烷之剩餘之氫矽烷基進行反應，可使籠型八倍半矽氧烷進行交聯。因此，可提高第6聚矽氧樹脂組合物之柔軟性。
    又，第6聚矽氧樹脂組合物可降低其熱硬化溫度(例如100~250℃)。
    其次，參照圖2對該螢光接著片材1之製造方法進行說明。
    於該方法中，首先準備螢光體層2。
    於由螢光體之陶瓷(螢光體陶瓷板)形成螢光體層2之情形時，例如將上述螢光體作為陶瓷材料並成形為板狀後，對其進行燒結，藉此獲得板狀之螢光體層2(螢光體陶瓷板)。
    再者，於將螢光體層2形成為螢光體樹脂片材之情形時，例如將上述螢光體樹脂組合物塗佈於圖1之虛線所示之脫模基材4之上表面之整個面上，形成螢光體皮膜(未圖示)。
    脫模基材4例如可由聚烯烴(具體而言為聚乙烯、聚丙烯)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，Ethylene Vinyl Acetate)等乙烯基聚合物所形成，例如可由聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯等聚酯所形成，例如可由聚四氟乙烯等氟樹脂等樹脂材料等所形成，例如可由玻璃材料所形成。又，脫模基材4例如亦可由鐵、鋁、不鏽鋼等金屬材料等所形成。脫模基材4之厚度例如為10~1000 μm。
    將於脫模基材4上塗佈螢光體樹脂組合物後所形成之螢光體皮膜加熱至例如50~150℃，並加以乾燥，藉此獲得片材狀之螢光體層2。
    其後，將脫模基材4自螢光體層2剝離。
    繼而，於該方法中，如圖2(a)之下部所示，加熱螢光體層2。
    於加熱螢光體層2時，例如使螢光體層2接觸作為熱源之熱板5(具體而言為加熱板)。具體而言，將螢光體層2載置於熱板5之上表面。
    將熱板5之溫度調整成例如上述聚矽氧樹脂組合物之熱塑化溫度，具體而言，例如為40~150℃，較佳為50~100℃。又，熱板5之溫度例如為40~200℃，較佳為80~150℃，或者例如為40~150℃，較佳為50~100℃。
    繼而，如圖2(a)之箭頭所示，將上述聚矽氧樹脂組合物載置於螢光體層2之上表面(厚度方向之一面)。
    聚矽氧樹脂組合物之形狀並無特別限定，例如成形為片材狀、塊狀(方塊)、粒狀(粉狀)等之聚矽氧成形體6。
    以聚矽氧成形體6之底面積(接觸螢光體層2之接觸面之面積；於聚矽氧成形體成形為粒狀之情形時，為向厚度方向投影時之聚矽氧成形體之影之面積)S1例如小於螢光體層2之上表面之面積S2、或者相同之方式調整聚矽氧成形體6之底面積S1。
    較佳為聚矽氧成形體6之底面積S1小於螢光體層2之上表面之面積S2(S1<S2)，具體而言，其等之比(=S1/S2)例如為0.1以上且未達1，較佳為0.6~0.95。
    於聚矽氧成形體6之底面積S1小於螢光體層2之上表面之面積S2之情形(S1<S2)時，例如將聚矽氧成形體6載置於螢光體層2之上表面之中央部。
    繼而，由於螢光體層2載置於熱板5上，故而聚矽氧成形體6受到加熱，藉此塑化。
    聚矽氧成形體6藉由上述塑化而於螢光體層2之上表面流動。例如於將聚矽氧成形體6載置於螢光體層2之上表面之中央部之情形時，螢光體層2向面方向(沿著螢光體層2之上表面之方向)外側擴散，具體而言自螢光體層2之中央部向周端部擴散。
    再者，聚矽氧成形體6於例如不會自螢光體層2之上表面溢出之情況下流動。
    藉此，如圖2(c)所示，擴散之聚矽氧樹脂組合物以面方向上均勻之厚度積層於螢光體層2之上表面上。
    繼而，將於上面擴散有聚矽氧樹脂組合物之螢光體層2自熱板5上取走(拿起)，載置於室溫(20~25℃)之台(未圖示)之上表面上。
    藉此，冷卻聚矽氧樹脂組合物，使固形化。
    藉此，如圖1及圖2(c)所示，於螢光體層2之整個上表面上形成無皺褶之固形狀之接著劑層3。
    藉此，如圖1所示，製造具備螢光體層2、積層於其上表面上之接著劑層3的螢光接著片材1。
    此種螢光接著片材1例如用於各種產業領域，較佳為用於光學領域，具體而言，用作用以於發光二極體封裝8(參照圖3)及發光二極體元件(參照圖8及圖10)上設置螢光體層2之接著片材。
    其次，參照圖3對使用上述螢光接著片材1而製造發光二極體裝置15之方法進行說明。
    首先，於該方法中，如圖3(a)之下部所示，準備發光二極體封裝8。
    發光二極體封裝8具備：基板9、安裝於基板9上之發光二極體元件10、形成於基板9上(厚度方向之一側)並以於向厚度方向投影時包圍發光二極體元件10之方式配置的反射器11、填充於反射器11內之密封發光二極體元件10之密封層12。
    基板9形成為平板狀，例如由絕緣基板、例如矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基板等構成，較佳為由陶瓷基板、具體而言藍寶石(Al2O3)基板構成。
    於基板9之上表面上形成具備用以與發光二極體元件10之元件側端子電性連接之基板側端子、與連接基板側端子之配線的導體圖案13。導體層由例如金、銅、銀、鎳等導體所形成。該等導體可單獨使用或併用。
    發光二極體元件10係安裝於基板9上，並且由公知之半導體材料形成。
    發光二極體元件10藉由將其元件側端子與基板9之基板側端子電性連接，而覆晶安裝或打線接合於基板9上。
    於俯視觀察下，反射器11於中央部開口，形成為大致矩形框狀或大致環形狀(圓環形狀或楕圓環形狀)。又，於剖面觀察下，反射器11形成為向上寬度逐漸變窄之大致梯形狀。反射器11係以包圍發光二極體元件10之方式與發光二極體元件10隔開間隔而配置。即，發光二極體元件10配置於反射器11內。
    反射器11係由例如含有光反射成分(例如氧化鈦等)之陶瓷材料之燒結體、或含有光反射成分之反射樹脂組合物等所形成，並且反射自發光二極體元件10所發出之光。
    密封層12填充於反射器11內，具體而言，以被覆反射器11之內側面、自發光二極體元件10露出之基板9之上表面、發光二極體元件10之上表面及外側面之方式形成。
    又，於密封層12之上表面上形成有自周端部向中央部逐漸下凹之凹部14。具體而言，凹部14形成為自反射器11之上表面之內端部開始隨著趨向內側而向下凹陷之凹面。
    作為形成密封層12之密封樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂組合物、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂等透明樹脂等。就耐久性之觀點而言，較佳可列舉聚矽氧樹脂組合物。
    聚矽氧樹脂組合物包含聚矽氧彈性體，於分子內主要具有包含矽氧鍵(-Si-O-Si-)之主鏈、與包含鍵結於主鏈之矽原子(Si)上之烷基(例如甲基等)或烷氧基(例如甲氧基)等有機基之側鏈。
    具體而言，作為聚矽氧樹脂組合物，例如可列舉：脫水縮合型聚矽氧樹脂、加成反應型聚矽氧樹脂、過氧化物硬化型聚矽氧樹脂、濕氣硬化型聚矽氧樹脂、硬化型聚矽氧樹脂等。較佳可列舉加成反應型聚矽氧樹脂等。
    聚矽氧樹脂組合物於25℃下之動黏度例如為10~30 mm2/s。
    密封樹脂可單獨使用，或者亦可併用2種以上。
    並且，於準備發光二極體封裝8時，首先準備基板9，繼而將發光二極體元件10安裝於基板9上，另外於基板9上形成反射器11。其後，將密封樹脂填充於反射器11內，加熱密封樹脂使其反應，藉此形成密封層12。
    再者，反應前，係如圖3(a)之虛線所示，上表面為平坦狀之密封層12於反應後，係如圖3(a)之實線所示，形成上述形狀之凹部14。
    繼而，加熱發光二極體封裝8。
    於加熱發光二極體封裝8時，例如參照圖2(a)，使發光二極體封裝8接觸作為熱源之熱板5(具體而言為加熱板)。具體而言，將發光二極體封裝8載置於熱板5之上表面上。
    將熱板5之溫度調整成例如上述接著劑層3之熱塑化溫度，具體而言，例如為40~150℃，較佳為50~100℃。又，亦可將熱板15之溫度調整成例如40~200℃，較佳為80~150℃，或者調整成例如40~150℃，較佳為50~100℃。
    又，於該方法中，上下翻轉圖1所示之螢光接著片材1，如圖3(a)之上部所示，與發光二極體封裝8之上方對向配置，繼而以接著劑層3與發光二極體封裝8接觸之方式將螢光接著片材1載置於發光二極體封裝8之上表面上(載置步驟)。
    如圖3(b)所示，於載置時，接著劑層3於不接觸密封層12之凹部14之情況下接觸反射器11之上表面。並且，於剛載置後，由於發光二極體封裝8受到加熱，故而熱經由反射器11之上表面傳導至接著劑層3整體。
    於是，如圖3(c)所示，接著劑層3(之中央部)塑化，藉此填充於凹部14內。
    另一方面，接觸反射器11之上表面之接著劑層3(之周端部)藉由塑化而形成得較薄，相對於載置前之接著劑層3之厚度，例如為10~90%，較佳為30~60%，具體而言，例如成為2~100 μm，較佳為成為5~50 μm之厚度。
    藉由接著劑層3之塑化，而將螢光體層2暫時固定於發光二極體封裝8之上表面上。
    其後，視需要檢查發光二極體封裝8。具體而言，藉由使電流通過基板9之導體圖案13，而實施發光二極體元件10之發光試驗。
    於在上述檢查中判定為不良之情形時，將螢光接著片材1自發光二極體封裝8剝離，並載置於另一發光二極體封裝8上(載置步驟)。
    於在上述檢查中判定為正常之情形時，藉由使接著劑層3熱硬化，而將螢光體層2接著於發光二極體封裝8之上表面(厚度方向之一面)上(接著步驟)。
    於使接著劑層3熱硬化時，將熱板5之溫度升溫(使上升)至接著劑層3之熱硬化溫度。具體而言，將熱板5之溫度升溫至例如100~200℃，較佳為130~200℃，或者升溫至例如100~250℃，較佳為120~250℃。
    藉此，獲得具備發光二極體封裝8、與接著於發光二極體封裝8之上表面上之螢光接著片材1的發光二極體裝置15。即，獲得具備發光二極體封裝8、經由接著劑層3而接著於發光二極體封裝8上表面上之螢光體層2的發光二極體裝置15。
    並且，上述螢光接著片材1藉由加熱，使接著劑層3塑化，從而可將螢光體層2暫時固定於發光二極體封裝8上。
    又，螢光接著片材1藉由其後之加熱，使接著劑層3熱硬化，從而可將螢光體層2接著於發光二極體封裝8上。
    並且，於該螢光接著片材1中，藉由接著劑層3之塑化，可防止於螢光體層2與凹部14之間產生間隙30(參照圖3(b))。因此，藉由其後之接著劑層3之熱硬化，螢光體層2可確實地接著於具有凹部14之密封層12上。
    進而，接著劑層3藉由塑化而形成得較薄，因此可實現接著劑層3之薄層化。
    即，於該螢光接著片材1中，較薄地形成對應於反射器11之接著劑層3，因此於由螢光體之陶瓷所形成之螢光體層2中，可使藉由光之波長之轉換所產生之熱經由該接著劑層3及熱傳導性優異之螢光體層2而有效率地傳導至基板9。
    另一方面，於螢光體層2係由螢光體樹脂組合物所形成之情形時，可容易地將螢光體層2形成為任意形狀。
    又，於該螢光接著片材1之製造方法中，將兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物載置於螢光體層2之上表面上，使包含所載置之聚矽氧樹脂組合物之聚矽氧成形體6塑化，因此可藉由加熱而於螢光體層2之上表面上簡易且統一地形成接著劑層3。
    又，於該方法中，藉由冷卻聚矽氧樹脂組合物並使其固形化而形成接著劑層3，因此可以優異之作業性(操作性)製造具備該接著劑層3之螢光接著片材1。
    於該發光二極體裝置15中，接著劑層3接著於發光二極體封裝8之上表面上，因此螢光體層2對發光二極體封裝8之接著力得以提高。
    並且，接著劑層3藉由塑化而形成得較薄，因此可防止自發光二極體元件10所發出之光經由形成於反射器11之上表面上之接著劑層3而擴散至外部。因此，可提高發光二極體裝置15之發光效率。
    進而，可使於螢光體層2中藉由波長轉換所產生之熱經由形成地較薄之接著劑層3而有有效率地傳導至反射器11及基板9，從而可實現有效率之熱擴散。因此，可進一步提高發光二極體裝置15之發光效率。
    進而，亦可防止滲入發光二極體封裝8內之腐蝕成分(例如水分或氯等)經由形成得較薄之接著劑層3而滲入。
    又，接著劑層3熱硬化，因此可提高發光二極體裝置15之耐久性。
    結果可提高發光二極體裝置15之可靠性。
    又，於該發光二極體裝置之製造方法中，加熱發光二極體封裝8，以接著劑層3與發光二極體封裝8接觸之方式將螢光接著片材1載置於發光二極體封裝8之上表面，使接著劑層3塑化，藉此將螢光體層2暫時固定於發光二極體封裝8之上表面上。
    並且，於該螢光接著片材1中，藉由接著劑層3之塑化，可防止於螢光體層2與發光二極體封裝8之上表面之間產生間隙30。因此，藉由其後之接著劑層3之熱硬化，螢光體層2可確實地接著於發光二極體封裝8上。
    因此，對暫時固定有螢光體層2之發光二極體封裝8進行光學檢查後，其後於發光二極體封裝8為不良之情形時，可將螢光體層2自判定為不良之發光二極體封裝8上剝離，並暫時固定於另一發光二極體封裝8上(二次加工)。結果可提高螢光體層2之良率，降低製造成本。
    又，於該方法中，藉由使接著劑層3熱硬化，而將螢光體層2接著於發光二極體封裝8上，因此可提高螢光體層2對發光二極體封裝8之接著力。
    再者，於圖2之實施形態中，首先加熱螢光體層2，其後將聚矽氧成形體6載置於螢光體層2上，但亦可藉由例如未圖示之如下方式獲得螢光接著片材1：不使用熱板5，例如準備常溫之螢光體層2，另外藉由加熱聚矽氧樹脂組合物而使塑化，將經塑化之聚矽氧樹脂組合物塗佈於螢光體層2之上表面(厚度方向之一面)上，其後冷卻聚矽氧樹脂組合物而使其固形化，藉此形成接著劑層3，而獲得螢光接著片材1。
    塑化之聚矽氧樹脂組合物係藉由例如棒塗法等公知之塗佈方法而塗佈於螢光體層2之上表面上。
    利用該方法亦可發揮與圖2之實施形態相同之優異之作用效果。
    圖4表示封裝集合體之立體圖，圖5表示說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之另一實施形態(由封裝集合體而製造發光二極體裝置之態樣)的剖面圖，圖6表示本發明之螢光接著片材之另一實施形態(於螢光體層之兩面設置有接著劑層之態樣)之剖面圖，圖7表示說明藉由圖6所示之螢光接著片材製造發光二極體裝置之方法的剖面圖，圖8表示說明製造本發明之發光二極體裝置之另一實施形態(螢光接著片材積層於發光二極體元件之上表面上之態樣)之方法的剖面圖，圖9表示說明本發明之附螢光體層之發光二極體元件之一實施形態的剖面圖，圖10表示說明製造圖9之附螢光體層之發光二極體元件之方法、及使用附螢光體層之發光二極體元件製造發光二極體裝置之方法的剖面圖。
    再者，於圖4中，省略密封層12。又，於圖5、7、8及10中，省略導體圖案13。
    又，於以下各圖中，與上述各部對應之構件採用相同之參照符號，省略其詳細說明。
    於圖3之實施形態中，準備1個發光二極體封裝8，於其上接著1個螢光接著片材1，如圖4所示，準備例如整列配置有複數個發光二極體封裝8之封裝集合體16，如圖5所示，於其上接著1個螢光接著片材1，藉此亦可製造複數個發光二極體裝置15。
    即，於圖4及圖5(a)中，封裝集合體16一體地具備複數個發光二極體封裝8，各發光二極體封裝8於面方向上鄰接配置。
    於封裝集合體16上，沿著各發光二極體封裝8間所形成之切斷部17形成為俯視下之大致網格狀。
    切斷部17為下文進行說明之切割中之切斷之線狀部分，具備使反射器11之上部缺口之切口部18、與於厚度方向貫穿反射器11及基板9之貫通孔23。貫通孔23係形成於複數個切口部18交錯的部分，各貫通孔23係形成為以平面視大致為圓形。
    又，於反射器11之上表面上，對應於發光二極體元件10形成有下凹之俯視下大致圓形狀之標記21。
    於準備此種封裝集合體16時，首先準備1個基板9，繼而一體地形成反射器11，另外，於反射器11之開口內將複數個發光二極體元件10安裝於基板9上。其後，將密封樹脂填充於各反射器11內，加熱密封樹脂而使其反應，藉此形成密封層12。
    再者，亦可準備作為市售品之封裝集合體16。
    繼而，如圖5(a)所示，將所準備之封裝集合體16載置於熱板5之上表面上，藉此進行加熱。
    其後，如圖5(b)所示，以接著劑層3與反射器11接觸之方式將螢光接著片材1載置於封裝集合體16之上表面上(載置步驟)。藉此，如圖5(c)所示，接著劑層3塑化，藉此填充於凹部14內。
    其後，視需要實施各發光二極體封裝8之檢查。
    繼而，藉由使接著劑層3熱硬化，而將螢光體層2接著於封裝集合體16之上表面上(接著步驟)。
    藉此，獲得具備封裝集合體16、與接著於封裝集合體16之上表面上之螢光接著片材1的發光二極體裝置集合體19。即，獲得具備封裝集合體16、與經由接著劑層3接著於封裝集合體16上表面上之螢光體層2的發光二極體裝置集合體19。
    其後，如圖5(c)之單點虛線所示，沿著厚度方向切割發光二極體裝置集合體19之切斷部17，藉此獲得各發光二極體裝置15。即，使發光二極體裝置集合體19單片化(個體化)。
    於該方法中，即使對於具有切口部18及標記21之封裝集合體16，接著劑層3亦可追蹤之。即，接著劑層3無間隙地填充於切口部18之上部內及標記21內。
    又，於圖1之實施形態中，接著劑層3設置於螢光體層2之上表面(厚度方向之一面)上，如圖6所示，例如亦可將接著劑層3設置於螢光體層2之上表面(厚度方向之一面)及下面(厚度方向另一側面)之兩面上。
    於將接著劑層3設置於螢光體層2之兩面上時，參照圖6，例如加熱上述聚矽氧樹脂組合物而使其塑化，並將其塗佈於螢光體層2之上表面(一面)上，其後，上下翻轉後，塗佈於上表面(另一面)上。
    藉此，獲得圖6所示之螢光接著片材1。
    其次，參照圖7對使用圖6之螢光接著片材1而製造發光二極體裝置集合體19之方法進行說明。
    於該方法中，如圖7(a)所示，首先準備封裝集合體16。
    繼而，如圖7(b)所示，以接著劑層3與反射器11接觸之方式將螢光接著片材1載置於封裝集合體16之上表面上(載置步驟)。藉此，接著劑層3塑化，藉此填充於凹部14內。
    其後，視需要實施各發光二極體封裝8之檢查。
    繼而，如圖7(c)所示，於螢光接著片材1上設置透鏡22。
    具體而言，以對應於發光二極體元件10之方式將透鏡22貼著於塑化之上側之接著劑層3上。
    透鏡22形成為大致半球形狀(大致圓頂形狀)，係聚集自發光二極體元件10所發出之光的聚光透鏡。以向厚度方向投影時包含反射器11內部之方式貼著透鏡22。透鏡22係由例如聚矽氧樹脂組合物等透明樹脂所形成。
    其後，對積層有螢光接著片材1及透鏡22之發光二極體封裝8進行檢查。例如，檢查自發光二極體元件10所發出之光之光軸、與透鏡22之光軸位置是否偏離。
    於在上述檢查中判定為無位置偏離之情形時，藉由使上側之接著劑層3熱硬化，而使透鏡22接著於螢光體層2之上表面上。
    另一方面，於在上述檢查中判定為存在位置偏離之情形時，如圖7之箭頭所示，將透鏡22自螢光接著片材1上提起。即，將透鏡22自塑化之上側之接著劑層3上剝離(拾取)。
    其後，再次將透鏡22設置於螢光接著片材1上(配置)。
    其後，再次於與上述相同之檢查中，於判定為無位置偏離之情形時，其後藉由使上側之接著劑層3熱硬化，而使透鏡22接著於螢光體層2之上表面上。
    又，隨著上側之接著劑層3之熱硬化，下側之接著劑層3同時熱硬化，從而使螢光體層2接著於發光二極體封裝8之上表面(厚度方向之一面)上(接著步驟)。
    其後，雖未圖示，但藉由沿著切口部18切割發光二極體封裝8(參照圖5(c))，而獲得各發光二極體裝置15。即，使發光二極體裝置集合體19單片化(個體化)。
    並且，於該方法中，對於封裝集合體16可經由塑化之下側之接著劑層3而二次加工螢光體層2，並且可將判定為存在位置偏離之透鏡22自塑化之上側之接著劑層3暫時剝離，其後於螢光接著片材1之上表面上進行二次加工(拾取與配置)。
    又，於圖5及圖7之實施形態中，將螢光接著片材1暫時固定及接著於密封有發光二極體元件10之發光二極體封裝8之上表面上，如圖8所示，例如亦可將螢光接著片材1暫時固定及接著於發光二極體元件10之上表面上。
    其次，參照圖8(d)對發光二極體元件10之上表面上接著有螢光接著片材1之發光二極體裝置15進行說明。
    如圖8(d)所示，該發光二極體裝置15具備：基板9、安裝於基板9上之發光二極體元件10、接著於發光二極體元件10上之螢光接著片材1、及被覆發光二極體元件10及螢光接著片材1之側面之密封層12。
    為了取出因全反射而封入發光二極體元件10內之光(發出光)，而於發光二極體元件10之上表面上形成凹凸部分24。
    於螢光接著片材1中，螢光體層2經由接著劑層3接著於發光二極體元件10之上表面上。
    密封層12沿著發光二極體元件10之外側面而形成為剖面矩形狀，其上表面與螢光體層2之上表面於面方向上成為一面。
    其次，參照圖8對製造該發光二極體裝置15之方法進行說明。
    首先，於該方法中，如圖8(a)之下部所示，將發光二極體元件10安裝於基板9上(安裝步驟)。
    繼而，將基板9載置於熱板5之上表面上，藉此加熱發光二極體元件10。
    繼而，如圖8(b)所示，以接著劑層3與發光二極體元件10接觸之方式將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10之上表面上(載置步驟)。於剛載置後，接著劑層3塑化，藉此填充凹凸部分24之凹部。
    藉此，如圖8(c)所示，螢光體層2經由接著劑層3而暫時固定於發光二極體元件10之上表面上。
    其後，視需要對暫時固定有螢光體層2之發光二極體元件10進行檢查。
    繼而，藉由使接著劑層3熱硬化，而使螢光體層2接著於發光二極體元件10之上表面上(接著步驟)。
    繼而，參照圖8(d)之虛線及實線，以被覆螢光體層2之上表面、螢光體層2及發光二極體元件10之側面之方式形成密封層12。
    其後，參照圖8(d)之實線，藉由例如蝕刻、機械加工(具體而言為研磨加工等)等除去密封層12之上側部(位於螢光體層2之上表面之上側之部分)。藉此，使螢光體層2之上表面露出。
    藉此，獲得發光二極體裝置15。
    於該方法中，加熱發光二極體元件10，以接著劑層3與發光二極體元件10接觸之方式將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10之上表面上，使接著劑層3塑化，藉此使螢光體層2暫時固定於發光二極體元件10之上表面上。
    因此，於對暫時固定有螢光體層2之發光二極體元件10進行光學試驗後，其後於發光二極體元件10為不良之情形時，可藉由加熱將螢光體層2自判定為不良之發光二極體元件10上剝離，並暫時固定於另一發光二極體元件10上(二次加工)。結果可提高螢光體層2之良率，降低製造成本。
    又，於該方法中，藉由使接著劑層3熱硬化而將螢光體層2接著於發光二極體元件10上，因此可提高螢光體層2對發光二極體元件10之接著力。
    並且，於該螢光接著片材1中，藉由使接著劑層3塑化，可防止於螢光體層2與發光二極體元件10之上表面之間產生間隙30(參照圖8(b))，進而即使對於發光二極體元件10之上表面之凹凸部分24，接著劑層3亦可追蹤之。因此，藉由其後之接著劑層3之熱硬化，螢光體層2可確實地接著於發光二極體元件10上。
    再者，於圖8之實施形態中，預先加熱發光二極體元件10，其後將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10之上表面上，藉此使接著劑層3塑化，例如亦可預先加熱螢光接著片材1，使接著劑層3塑化，繼而以接著劑層3貼著於發光二極體元件10之方式將螢光接著片材1暫時固定於發光二極體元件10之上表面上。
    於圖8之實施形態中，首先將發光二極體元件10安裝於基板9上(安裝步驟，參照圖8(a))，其後將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10上(載置步驟，參照圖8(b))，經由接著劑層3將螢光體層2暫時固定於發光二極體元件10上(參照圖8(c))。然而，例如如圖10所示，不將發光二極體元件10安裝於基板9上，首先將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10上(載置步驟，參照圖10(b))，其後藉由經由接著劑層3將螢光體層2接著於發光二極體元件10上(接著步驟)，準備附螢光體層之發光二極體元件7(參照圖9(a))(參照圖10(c))，其後亦可將該附螢光體層之發光二極體元件7之發光二極體元件10安裝於基板9上(安裝步驟)(參照圖10(d))。
    附螢光體層之發光二極體元件7係如圖9(a)所示，具備發光二極體元件10、及接著於發光二極體元件10之上表面之螢光接著片材1。
    具體而言，接著劑層3係形成(緊密接著)於發光二極體元件10之上表面。螢光體層2係形成於接著劑層3之上表面。藉此，經由接著劑層3將螢光體層2暫時固定於發光二極體元件10之上表面上。
    其次，參照圖10對製造如圖9所示之附螢光體層之發光二極體元件7之方法、及使用附螢光體層之發光二極體元件7製造發光二極體裝置15之方法進行說明。
    於該方法中，首先準備如圖9所示之附螢光體層之發光二極體元件7。
    準備如圖9所示之附螢光體層之發光二極體元件7時，首先如圖10(a)所示，例如準備發光二極體元件10及支持其之支持體25。
    支持體25為包含與上述之脫模基材4相同之材料的支持片材。支持體25之厚度例如為10~1000 μm。支持體25係以其上表面支持發光二極體元件10。
    繼而，加熱發光二極體元件10及支持體25。加熱發光二極體元件10及支持體25時，例如將支持體25載置於加熱板5之上表面。
    其後，如圖10(a)之箭頭所示，將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10之上表面上(載置步驟)。具體而言，以接著劑層3與發光二極體元件10接觸之方式將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10之上表面上。
    藉此，如圖10(b)所示，藉由使接著劑層3塑化，使螢光體層2暫時固定於發光二極體元件10之上表面上，繼而使接著劑層3熱硬化，而經由接著劑層3使螢光體層2接著於發光二極體元件10之上表面上(接著步驟)。
    藉此，準備(獲得)如圖9所示之附螢光體層之發光二極體元件7。
    其後，於該附螢光體層之發光二極體元件7中，由於接著劑層3接著於發光二極體元件10之上表面上，因此可提高螢光體層2對發光二極體元件10之接著力。
    又，由於接著劑層熱硬化，因此可提高附螢光體層之發光二極體元件7之耐久性。
    其結果可提高附螢光體層之發光二極體元件之可靠性。
    其後，如圖10(c)所示，將附螢光體層之發光二極體元件7自支持體25剝離。
    其後，如圖10(d)所示，將附螢光體層之發光二極體元件7安裝於基板9上(安裝步驟)。
    具體而言，附螢光體層之發光二極體元件7中，發光二極體元件10之元件側端子(未圖示)係與基板9之基板側端子(未圖示)電氣連接。
    其後，參照圖10(e)之實線，以被覆螢光體層2之上表面、螢光體層2、接著劑層3及發光二極體元件10之側面之方式形成密封層12。
    藉此，獲得發光二極體裝置15。
    於該方法中，藉由接著劑層3之塑化，以防止螢光體層2與發光二極體元件10之上表面之間產生縫隙，或對於發光二極體元件10之上表面之凹凸部分24，接著劑層3亦可追蹤之。藉此，藉由其後接著劑層3之熱硬化，螢光體層2可確實接著於發光二極體元件10上。
    再者，於圖10(e)之實施形態中，雖可藉由密封層12被覆附螢光體層之發光二極體元件7之上表面，亦可例如圖8(d)所示之使該上表面露出。
    於該情況下，去除密封層12之上側部(較螢光體層2之上表面位於更上側之部分)。藉此使附螢光體層之發光二極體元件7之上表面露出。
    再者，於圖10之實施形態中，藉由加熱板5預先加熱發光二極體元件10，其後將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10之上表面上，藉此使接著劑層3塑化及熱硬化，例如亦可預先加熱螢光接著片材1，使接著劑層3塑化，繼而以接著劑層3貼著於發光二極體元件10之方式將螢光接著片材1暫時固定於發光二極體元件10之上表面上，其後亦可使接著劑層3熱硬化。
    再者，於圖9(a)之實施形態中，雖可使螢光接著片材1僅接著於發光二極體元件10之上表面，亦可例如圖9(b)所示之使螢光接著片材1接著於發光二極體元件10之上表面及側面之兩面上。
    於圖9(b)之實施形態中，接著劑層3係連續形成(緊密接著)於發光二極體元件10之上表面及側面之兩面上。螢光體層2係形成(緊密接著)於形成於發光二極體元件10之上表面及側面之接著劑層3之外表面。就可撓性之觀點而言，較佳係由螢光體樹脂組合物(螢光體樹脂片材)所形成。
    其次，對製造如圖9所示之附螢光體層之發光二極體元件7之方法、及使用附螢光體層之發光二極體元件7製造發光二極體裝置15之方法進行說明。
    於該方法中，首先準備如圖9(b)所示之附螢光體層之發光二極體元件7。
    準備如圖9(b)所示之附螢光體層之發光二極體元件7時，首先如圖10(a)之虛線所示，例如準備發光二極體元件10及支持其之支持體25。其次加熱其等。
    其後，如圖10(a)之箭頭所示，以被覆發光二極體元件10之方式將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10上(載置步驟)。藉此，如圖10之虛線及圖9(b)所示，使接著劑層3與發光二極體元件10之上表面及側面接觸。
    藉此，使接著劑層3塑化，使螢光體層2暫時固定於發光二極體元件10之上表面及側面上，繼而使接著劑層3熱硬化，而經由接著劑層3使螢光體層2接著於發光二極體元件10之上表面及側面上(接著步驟)。
    藉此，準備如圖9(b)所示之附螢光體層之發光二極體元件7。
    其後，如圖10(c)之虛線所示，將附螢光體層之發光二極體元件7自支持體25剝離。
    其後，如圖10(d)之虛線所示，將附螢光體層之發光二極體元件7安裝於基板9上(安裝步驟)。
    藉此，獲得發光二極體裝置15。
    再者，如圖10(e)所示，視需要藉由密封層12被覆附螢光體層之發光二極體元件7。具體而言，藉由密封層12埋設附螢光體層之發光二極體元件7。亦即，藉由密封層12被覆螢光體層2之表面(包含虛線)。
    再者，於使用圖9(b)所示之附螢光體層之發光二極體元件7製造發光二極體裝置15之實施形態中，預先加熱發光二極體元件10及支持體25，其後將螢光接著片材1載置於發光二極體元件10上，藉此使接著劑層3塑化及熱硬化，例如亦可預先加熱螢光接著片材1，使接著劑層3塑化，繼而以接著劑層3貼著於發光二極體元件10之方式將螢光接著片材1暫時固定於發光二極體元件10之上表面上，其後亦可使接著劑層3熱硬化。
    並且，上述發光二極體裝置15(圖3及圖10)及發光二極體裝置集合體19(圖5及圖7)可用作各種發光裝置，具體而言可用作大型液晶畫面之背光源、各種照明機器、汽車之前燈、廣告招牌、數位相機用閃光燈等需要高亮度及高輸出之光源。 實施例
    以下，列舉製作例、製備例、實施例及比較例更詳細地說明本發明，但本發明並不受其等任何限定。 (螢光體陶瓷板之製作) 製作例1
    準備包含氧化釔粒子(純度99.99%，批次：N-YT4CP，日本Yttrium公司製造)11.35 g、氧化鋁粒子(純度99.99%，商品編號「AKP-30」，住友化學公司製造)8.560 g、及硝酸鈰(III)六水合物(純度99.99%，商品編號「392219」，Sigma-Aldrich公司製造)0.08750 g之螢光體之原料粉末。
    將所準備之螢光體之原料粉末20 g、作為黏合樹脂之PVB(聚(乙烯縮丁醛-共聚-乙烯醇-共聚-乙酸乙烯酯)，Sigma-Aldrich公司製造)1.52 g、作為分散劑之FlowlenG-700(共榮社化學公司製造)0.400 g、作為塑化劑之BBP(鄰苯二甲酸丁苄酯，Alfa Aesar公司製造)0.760 g及PEG(聚乙二醇，重量平均分子量：400，Sigma-Aldrich公司製造)0.760 g、作為燒結助劑之TEOS(四乙氧基矽烷，Fluka公司製造)0.100 g、及作為溶劑之甲苯13.2 g裝入氧化鋁製容器內，添加直徑3 mm之釔穩定化氧化鋯球，藉由球磨機以1500 rpm之速度進行24小時之濕式混合，製備螢光體之原料粒子之漿料溶液。
    繼而，藉由刮刀法將所製備之漿料溶液帶澆鑄於PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜上，進行自然乾燥，形成陶瓷生胚片材後，將陶瓷生胚片材自PET膜上剝離，獲得厚度125 μm之陶瓷生胚片材。
    其後，將所獲得之生胚片材切割成20 mm×20 mm之尺寸，製作3張該尺寸之片材，重疊此等，使用雙軸熱壓機於90℃之溫度下進行熱積層，藉此製作陶瓷生胚片材積層體。
    其後，利用電灼爐、於大氣中、以1℃/分鐘之升溫速度將所製作之陶瓷生胚片材積層體加熱至800℃，實施分解除去黏合樹脂等有機成分之脫脂處理。其後，將積層體移至高溫真空爐，於約10-3 Torr(133×10-3 N/m2)之減壓下、以5℃/分鐘之升溫速度加熱至1750℃，於該溫度下煅燒5小時，藉此製作厚度310 μm之螢光體陶瓷板(螢光體層)。 (螢光體樹脂片材之製作) 製作例2
    以YAG螢光體粉末之濃度成為25質量%之方式使YAG螢光體粉末(商品編號BYW01A，平均粒徑9 μm，Phosphor Tech公司製造)分散於2液混合型之熱硬化性聚矽氧彈性體(信越有機矽公司製造，商品編號KER2500)中，使用敷料器將該分散溶液塗佈於玻璃板上，形成厚度125 μm之螢光體皮膜，於100℃下加熱螢光體皮膜1小時，繼而，於150℃下加熱螢光體皮膜1小時，藉此製作螢光體樹脂片材(螢光體層)。 (籠型八倍半矽氧烷之合成) 合成例1
    於四甲基氫化銨(25%甲醇溶液)66.8 mL(158.6 mol)、甲醇32.8 mL及蒸餾水24.6 mL之混合液中緩緩地滴加四乙氧基矽烷35.8 mL(160.6 mol)，攪拌一晝夜，藉此使其等反應。
    繼而，過濾反應液，將濾液滴入己烷428 mL、二甲基氯矽烷7.1 g(75 mmol)及三甲基氯矽烷24.4 g(225 mmol)之混合液中，攪拌一晝夜。其後，利用己烷萃取反應物，於萃取液中添加硫酸鎂而使其乾燥。其後，暫時除去己烷後，進一步添加己烷而使其再結晶，藉此獲得白色固體之籠型八倍半矽氧烷。
    利用1H-NMR確認所獲得之籠型八倍半矽氧烷為式(7)之結構，且確認式(7)中之R6為甲基，R7為氫及甲基，算出R7之甲基與氫之莫耳比(籠型八倍半矽氧烷整體之平均值)，結果甲基：氫=6：2。 (聚矽氧樹脂組合物之製備) 製備例1(第3聚矽氧樹脂組合物之製備)
    調配合成例1之籠型八倍半矽氧烷(式(7)之R7/甲基：氫(莫耳比)=6：2)0.3 g、兩末端含有烯基之聚矽氧烷(式(8)中，R8為甲基，R9為乙烯基，i為8，數量平均分子量800，Gelest公司製造)0.24 g、甲苯1 g、鉑-二乙烯基矽氧烷錯合物溶液(矽氫化觸媒，甲苯溶液，鉑濃度2質量%)0.5 μL，於50℃下攪拌15小時。兩末端含有烯基之聚矽氧烷之乙烯基、與籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基的莫耳比(=乙烯基/氫矽烷基)為0.91。
    其後，蒸餾去除甲苯，藉此獲得透明固體狀之第3聚矽氧樹脂組合物。 製備例2(第1聚矽氧樹脂組合物之製備)
    將兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物(式(1)中之所有R1均為甲基、R3為伸丙基、a=150、b=0所表示之化合物，重量平均分子量11,400，信越化學工業公司製造)5 g(0.43 mmol)、甲苯-2,4-二異氰酸酯0.074 g(0.43 mmol)、及甲基乙基酮10 mL於氮氣中、室溫(25℃)下攪拌混合1小時。其後，添加過氧化二第三丁基(0.1 mol/L苯溶液，日本油脂公司製造)1315 μL(相對於兩末端胺基型聚矽氧樹脂組合物之R1基100莫耳%，自由基產生劑為0.1莫耳%)，於室溫(25℃)下攪拌混合1小時。其後，於減壓下、室溫(25℃)下除去溶劑，藉此獲得透明固體之第1聚矽氧樹脂組合物。 (聚矽氧樹脂組合物之評價)
    分別對製備例1之第3聚矽氧樹脂組合物、與製備例2之第1聚矽氧樹脂組合物之加熱時之行為進行評價。
    具體而言，將各聚矽氧樹脂組合物載置於加熱板之表面，將加熱板加熱至30~200℃，藉由目測觀察熱塑化溫度及熱硬化溫度。
    將該結果示於表1。
    (發光二極體封裝之製作) 製作例3
    準備於基板上積層將大致楕圓狀之凹部(模腔)隔開之反射器，且於凹部內之基板上形成有導體圖案的多層陶瓷基板(商品編號207806，住友金屬Electro Devices公司製造)(參照圖3)。
    再者，多層陶瓷基板之外形為3.5 mm×2.8 mm之矩形狀，凹部之內徑於長軸方向為2.68 mm，於短軸方向為1.98 mm，凹部為楕圓狀，反射器之厚度為0.6 mm。
    繼而，於多層陶瓷基板上打線接合作為發光二極體元件之藍色發光二極體(LED)晶片(商品編號C450EZ1000-0123，Cree公司製造)。藍色LED晶片為矩形狀，其尺寸為980 μm×980 μm×100 μm。
    繼而，以液面成為與反射器之上表面相同之高度之方式將2液混合型之熱硬化性聚矽氧彈性體(商品編號KER2500，信越有機矽公司製造)灌注於模腔內，其後，於100℃下加熱1小時，於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。
    藉此，形成密封層(參照圖3(a)之下部)。
    再者，於密封層之上表面形成自周端部向中央部下凹65 μm之凹部。
    藉此，製備發光二極體封裝。 (螢光接著片材及發光二極體裝置之製造) 實施例1
    將製作例1之螢光體陶瓷板切割成3.5 mm×2.8 mm之尺寸(S2=9.8 mm2)，將其載置於加熱至100℃之加熱板上(參照圖2(a))。
    繼而，將包含製備例1之第3聚矽氧樹脂組合物之聚矽氧成形體1 mg(厚度方向之投影面積S1=9.1 mm2)載置於螢光體陶瓷板之上表面之中央(參照圖2(b))。
    於是，剛載置後，聚矽氧成形體塑(液狀)化，均勻地擴散於螢光體陶瓷板之整個上表面上(參照圖2(b)箭頭)。
    其後，將螢光體陶瓷板自加熱板上取走，冷卻至室溫。藉此，第3聚矽氧樹脂組合物固形化(參照圖2(c))。
    藉此，獲得於螢光體層上形成有厚度約100 μm之接著劑層之螢光接著片材(參照圖1)。
    另外，將製作例3之發光二極體封裝載置於加熱至70℃之加熱板(參照圖3(a)之下部)上，繼而以接著劑層與發光二極體封裝接觸之方式將螢光接著片材載置於發光二極體封裝之上表面上(參照圖3(b))。
    於是，接著劑層塑化(軟化)，藉此螢光體層暫時固定於發光二極體封裝之上表面上(參照圖3(c))。
    其後，將發光二極體封裝自加熱板上取走，施加350 mA之直流電流，檢查白色發光裝置之光學特性。結果確認獲得所期望之特性值，再次將發光二極體封裝載置於加熱板上，於200℃下加熱30分鐘。
    接著劑層暫時塑(液狀)化，繼而硬化，藉此螢光體層接著於發光二極體封裝上。
    藉此，獲得發光二極體裝置(參照圖3(c))。
    再者，對應於反射器之接著劑層之厚度為17 μm。 實施例2
    使用製備例2之第1聚矽氧樹脂組合物代替製備例1之第3聚矽氧樹脂組合物，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得螢光接著片材，繼而獲得發光二極體裝置(參照圖3(c))。
    再者，對應於反射器之接著劑層之厚度為21 μm。 比較例1
    使用液狀之熱硬化型凝膠狀聚矽氧樹脂組合物(商品名「Wacker SilGel 612」，旭化成Wacker Silicone公司製造)代替製備例1之第3聚矽氧樹脂組合物，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得螢光片材，繼而獲得發光二極體裝置。
    再者，於製造螢光片材時，將熱硬化型凝膠狀聚矽氧樹脂組合物滴加至螢光體陶瓷板之上表面後，硬化反應立即進行，性狀由液狀變為凝膠狀，熱硬化型凝膠狀聚矽氧樹脂組合物硬化。
    其後，將熱硬化型凝膠狀聚矽氧樹脂組合物加熱15分鐘。藉此，形成包含硬化後之聚矽氧樹脂組合物的凝膠狀之接著劑層。
    藉此，獲得具備包含螢光體陶瓷板之螢光體層及接著劑層的螢光片材。
    於所獲得之發光二極體裝置中，對應於反射器之接著劑層之厚度為92 μm。 比較例2
    於常溫之螢光體陶瓷板之上表面上塗佈熱硬化性聚矽氧彈性體(商品編號「KER2500」，信越有機矽公司製造)，形成接著劑層。
    藉此，獲得具備包含螢光體陶瓷板之螢光體層及接著劑層的螢光接著片材。
    另外，以接著劑層與發光二極體封裝接觸之方式將螢光接著片材載置於製作例3之發光二極體封裝之上表面上。
    其後，於100℃下加熱1小時，繼而，於150℃下加熱1小時，藉此使接著劑層硬化。
    藉此，獲得具備包含螢光體陶瓷板之螢光體層及接著劑層的螢光片材。
    於所獲得之發光二極體裝置中，對應於反射器之接著劑層之厚度為68 μm。 (封裝集合體之製作) 製作例4
    準備以橫5列、縱5列之方式整列配置有複數個製作例3之發光二極體封裝的封裝集合體(參照圖4)。
    再者，於封裝集合體上一體地形成各發光二極體封裝，於各發光二極體間形成有切口部，於各發光二極體封裝上形成有標記。 (發光二極體裝置集合體之製作) 實施例3
    將製作例1之螢光體陶瓷板之尺寸變為17.5 mm×14.0 mm(上面之面積S2：245 mm2)，將製備例1之第3聚矽氧樹脂組合物之載置質量變為25 mg(尺寸：12.0 mm×12.0 mm，厚度方向之投影面積S1：144 mm2)，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理，製作螢光接著片材(參照圖1)。
    其後，使用製作例4之封裝集合體代替製作例3之發光二極體封裝，除此以外，以與實施例1相同之方式將螢光接著片材接著於封裝集合體上，獲得發光二極體裝置集合體(參照圖5(c))。 實施例4
    於實施例3之螢光接著片材之製造中，使用製作例2之螢光體樹脂片材代替製作例1之螢光體陶瓷板，並且以如下方式改變順序，除此以外，以與實施例3相同之方式將螢光接著片材接著於封裝集合體上，獲得發光二極體裝置集合體(參照圖5(c))。 <封裝集合體之製作順序>
    首先，將包含製作例2之螢光體樹脂片材之螢光體層切割成17.5 mm×14.0 mm之尺寸，其後載置於70℃之加熱板上。
    另外，將製備例1之第3聚矽氧樹脂組合物加熱至100℃而使其液狀(塑)化。藉由棒塗法將其塗佈於螢光體層上，形成厚度約60 μm之接著劑層。其後，將螢光體層自加熱板上取走，冷卻至室溫，獲得螢光接著片材。
    其後，於在100℃之加熱板上進行加熱之製作例4之封裝集合體(參照圖5(a))上載置螢光接著片材並使暫時固定(參照圖5(b))，繼而將加熱板升溫至180℃，使接著劑層熱硬化，藉此將螢光接著片材接著於封裝集合體上。藉此，製作發光二極體裝置集合體(參照圖5(c))。 實施例5
    將所獲得之螢光接著片材於室溫下保管10天，除此以外，以與實施例4相同之方式將保管後之螢光接著片材接著於封裝集合體上。藉此，製作發光二極體裝置集合體(參照圖5(c))。 (評價) 1.暫時固定
    關於實施例1及2，於檢查光學特性時，確認於特性值處於所期望之範圍以外之情形時，只要將螢光接著片材加熱至熱塑化溫度以上而使其塑(液狀)化，則可容易地重新配置螢光體層。 2.接著性
    關於實施例1及2之發光二極體裝置、與實施例3~5之發光二極體裝置集合體，螢光體層對於反射器及密封層之接著性良好。
    另一方面，關於比較例1，由於接著劑層為凝膠狀，故而接著不良。
    又，關於比較例2，由於接著劑層為彈性體，故而接著不良。 3.作業性(操作性)
    實施例1及2之螢光接著片材中之接著劑層均為固形狀，作業性良好。
    進而，於實施例5中，將螢光接著片材保管10天後再使用，由此得知接著劑層之保管較為容易。
    另一方面，比較例1及2中所使用之聚矽氧樹脂組合物(硬化前)於剛塗佈後便成為液狀，因此得知作業性較低，進而保管較為困難。 4.對凹部之填充性(追隨性)
    關於實施例1及2之發光二極體裝置，利用光學顯微鏡進行觀察，結果確認接著劑層填充於密封層之凹部內。
    進而，關於實施例3~5之發光二極體裝置集合體，確認接著劑層除填充密封層之凹部以外，亦填充於切口部及標記內。
    另一方面，關於比較例1及2，接著劑層對凹部之填充性不良。 5.漏光
    關於實施例1及2之發光二極體裝置，由於對應於反射器之接著劑層之厚度變薄(實施例1為17 μm，實施例2為21 μm)，故而藉由目測幾乎確認不到來自該接著劑層之漏光。
    另一方面，關於比較例1及2之發光二極體裝置，由於對應於反射器之接著劑層之厚度比實施例1及2厚(比較例1為92 μm，比較例2為68 μm)，故而確認到來自該接著劑層之漏(洩)光。 6.散熱性
    關於實施例1之發光二極體裝置、與實施例2之發光二極體裝置，分別通入1 A之大電流，使用紅外線相機測定螢光體層之表面溫度，結果分別為69℃及71℃。
    另一方面，關於比較例1及2之發光二極體裝置，通入1 A之大電流，使用紅外線相機測定螢光體層之表面溫度，結果分別為102℃及94℃。
    再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，並非限定性地加以解釋。該技術領域之從業人員所明瞭之本發明之變形例包含於下述申請專利範圍內。
    1‧‧‧螢光接著片材
    2‧‧‧螢光體層
    3‧‧‧接著劑層
    4‧‧‧脫模基材
    5‧‧‧熱板
    6‧‧‧聚矽氧成形體
    8‧‧‧發光二極體封裝
    9‧‧‧基板
    10‧‧‧發光二極體元件
    11‧‧‧反射器
    12‧‧‧密封層
    13‧‧‧導體圖案
    14‧‧‧凹部
    15‧‧‧發光二極體裝置
    16‧‧‧封裝集合體
    17‧‧‧切斷部
    18‧‧‧切口部
    21‧‧‧標記
    22‧‧‧透鏡
    24‧‧‧凹凸部分
    30‧‧‧間隙
    S1‧‧‧聚矽氧成形體之底面積
    S2‧‧‧螢光體之上表面之底面積
    圖1係表示本發明之螢光接著片材之一實施形態之剖面圖。
    圖2係說明本發明之螢光接著片材之製造方法之一實施形態的立體圖，圖2(a)表示於熱板上載置螢光體層之步驟，圖2(b)表示於螢光體層上載置聚矽氧樹脂組合物之步驟，圖2(c)表示使聚矽氧樹脂組合物塑化之步驟。
    圖3係說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之一實施形態的剖面圖，圖3(a)表示於熱板上載置發光二極體封裝之步驟，圖3(b)表示於發光二極體封裝上載置螢光接著片材之步驟，圖3(c)表示於發光二極體封裝上接著螢光體層之步驟。
    圖4係表示封裝集合體之立體圖。
    圖5係說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之另一實施形態(由封裝集合體製造發光二極體裝置之態樣)的剖面圖，圖5(a)表示於熱板上載置發光二極體封裝之步驟，圖5(b)表示於發光二極體封裝上載置螢光接著片材之步驟，圖5(c)表示於發光二極體封裝上接著螢光體層之步驟。
    圖6係表示本發明之螢光接著片材之另一實施形態(於螢光體層之兩面設置有接著劑層之態樣)之剖面圖。
    圖7係說明利用圖6所示之螢光接著片材而製造發光二極體裝置之方法的剖面圖，圖7(a)表示於熱板上載置發光二極體封裝之步驟，圖7(b)表示於發光二極體封裝上載置螢光接著片材之步驟，圖7(c)表示於螢光接著片材上載置並接著透鏡之步驟。
    圖8係說明製造本發明之發光二極體裝置之另一實施形態(螢光接著片材積層於發光二極體元件之上表面之態樣)之方法的剖面圖，圖8(a)表示於熱板上載置安裝有發光二極體元件之基板之步驟，圖8(b)表示於發光二極體元件上載置螢光接著片材之步驟，圖8(c)表示使接著劑層塑化並硬化之步驟，圖8(d)表示形成密封層之步驟。
    圖9係說明本發明之附螢光體層之發光二極體元件之一實施形態的剖面圖，圖9(a)表示螢光體層接著於發光二極體元件之上表面的態樣，圖9(b)表示螢光體層接著於發光二極體元件之上表面及側面的態樣。
    圖10係說明製造圖9之附螢光體層之發光二極體元件之方法、及使用附螢光體層之發光二極體元件製造發光二極體裝置之方法的剖面圖，圖10(a)表示準備支持體所支持之發光二極體元件之步驟，圖10(b)表示將螢光接著片材接著於發光二極體裝置之步驟，圖10(c)表示將附螢光體層之發光二極體元件自支持體剝離之步驟，圖10(d)表示將附螢光體層之發光二極體元件安裝於基板之步驟，圖10(e)表示藉由封裝層封裝附螢光體層之發光二極體元件之步驟。
    1‧‧‧螢光接著片材
    2‧‧‧螢光體層
    3‧‧‧接著劑層
    5‧‧‧熱板
    8‧‧‧發光二極體封裝
    9‧‧‧基板
    10‧‧‧發光二極體元件
    11‧‧‧反射器
    12‧‧‧密封層
    13‧‧‧導體圖案
    14‧‧‧凹部
    15‧‧‧發光二極體裝置
    30‧‧‧間隙
    权利要求:
    Claims (12)
    [1] 一種螢光接著片材，其特徵在於：具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之接著劑層，並且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    [2] 如請求項1之螢光接著片材，其中上述螢光體層係由上述螢光體之陶瓷所形成。
    [3] 如請求項1之螢光接著片材，其中上述螢光體層係由含有上述螢光體及樹脂之螢光體樹脂組合物所形成。
    [4] 一種螢光接著片材之製造方法，其特徵在於具備如下步驟：準備含有螢光體之螢光體層；使兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物塑化，而將其積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上；及藉由冷卻上述聚矽氧樹脂組合物使其固形化，而形成接著劑層。
    [5] 一種本發明之附螢光體層之發光二極體元件，其特徵在於具備：發光二極體元件、與積層於上述發光二極體元件之至少於厚度方向之一面上之螢光接著片材；並且上述螢光接著片材具備：含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之接著劑層，且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    [6] 一種發光二極體裝置，其特徵在於：具備具有基板、安裝於上述基板上之發光二極體元件、形成於上述基板之厚度方向之一側且以向上述厚度方向投影時包圍上述發光二極體元件之方式配置之反射器、填充於上述反射器內而密封上述發光二極體元件之密封層的發光二極體封裝，與接著於上述發光二極體封裝之上述厚度方向之一面之螢光接著片材；並且上述螢光接著片材具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之接著劑層，上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    [7] 一種發光二極體裝置，其特徵在於：具備基板、安裝於上述基板上之發光二極體元件、及接著於上述發光二極體元件之至少厚度方向之一面上之螢光接著片材，並且上述螢光接著片材具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之接著劑層，上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    [8] 一種發光二極體裝置之製造方法，其特徵在於：具備如下步驟：於基板上安裝發光二極體元件，並於上述基板之厚度方向之一側以向上述厚度方向投影時包圍上述發光二極體元件之方式配置反射器，其後於反射器內以密封上述發光二極體元件之方式填充密封層，而準備發光二極體封裝；於上述發光二極體封裝之上述厚度方向之一面上以接著劑層與上述發光二極體封裝接觸之方式載置具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之上述接著劑層的螢光接著片材；藉由使上述接著劑層塑化，而將上述螢光體層暫時固定於上述發光二極體封裝之上述厚度方向之一面上；及藉由使上述接著劑層熱硬化，而將上述螢光體層接著於上述發光二極體封裝之上述厚度方向之一面上；並且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    [9] 一種發光二極體裝置之製造方法，其特徵在於：具備如下步驟：於發光二極體元件之至少厚度方向之一面上以接著劑層與上述發光二極體元件接觸之方式載置具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之上述接著劑層之螢光接著片材；藉由使上述接著劑層塑化，而將上述螢光體層暫時固定於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上；及藉由使上述接著劑層熱硬化，而將上述螢光體層接著於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上；並且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
    [10] 如請求項9之發光二極體裝置之製造方法，其係進而具備將發光二極體元件安裝於基板上之安裝步驟，且於上述安裝步驟之後，實施上述載置步驟。
    [11] 如請求項9之發光二極體裝置之製造方法，其係進而具備將發光二極體元件安裝於基板上之安裝步驟，且於上述接著步驟之後，實施上述安裝步驟。
    [12] 一種附螢光體層之發光二極體元件之製造方法，其特徵在於具備如下步驟：於發光二極體元件之厚度方向之一面上，以接著劑層與上述發光二極體元件接觸之方式載置具備含有螢光體之螢光體層、與積層於上述螢光體層之厚度方向之一面上之上述接著劑層的螢光接著片材；藉由使上述接著劑層塑化，而將上述螢光體層暫時固定於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上；及藉由使上述接著劑層熱硬化，而將上述螢光體層接著於上述發光二極體元件之至少上述厚度方向之一面上；且上述接著劑層係由兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物所形成。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011134578||2011-06-16||
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